雙重或者多重光刻技術需要與之匹配的掩模版，也就是說需要根據工藝流程的需要設計兩個或多個掩模，通常設計公司會先提供一個版圖（光刻所要實現的目標圖形，即設計圖形），因此，工程師所需要做的就是對該圖形進行拆分，以滿足多重曝光工藝的要求。
基本介紹
- 中文名：掩模圖形拆分
- 外文名：Pattern Split
例如，對於LELE來說，就需要把設計圖形拆分到兩個掩模上，如圖一所示；而對於SADP來說，就是需要根據目標圖形來設計“mandrel”和“cut”掩模。
圖1 LELE圖形拆分流程
圖形拆分可以被認為是有條件的間距問題，基於設計規則定義一系列拆分規則，根據拆分規則完成圖形分解。拆分規則會對版圖上的多邊形尺寸、間距提出要求。違反規則的位置被定義為“衝突“，拆分過程即消除衝突的過程。拆分規則定義完成後，可以藉助EDA工具完成拆分。EDA軟體往往會將拆分問題轉化成有約束條件的著色問題來進行計算求解。
圖形拆分極為重要，因為一旦拆分不合理，最終會導致晶圓上有太多壞點，OPC是沒有辦法修正的，只有重新拆分才有出路，而重新拆分就意味著SMO和OPC等工作重做。有時，不管如何拆分，總是無法滿足工藝的要求，這就需要對原設計版圖做修改以便於拆分如圖2所示。
圖2 通過修改設計消除衝突
圖形拆分的模式分類
基於拆分過程，業內為圖形拆分工作定義了兩種模式，一種稱為“縫合”模式，即引入切割解決衝突的拆分；一種被稱為“非縫合(non-stitch)模式，即不允許引入切割，只能自然分解或重改設計的拆分過程。
縫合模式可以通過引入切割解決大部分違規衝突，但切割處也面臨著出現成像缺陷的問題，如橋聯和縮頸，所以應該儘量減少切割的數目。
圖3 通過引入切割消除衝突
而對於非縫合的模式，如果拆分前版圖不存在奇數周期違規，即可以很順利的完成自然分解。因此，對於採用非縫合模式的雙重圖形技術，往往要求設計者提供的版圖是雙重曝光兼容的。設計者會在設計的初期就考慮設計出來的電路要兼容雙重曝光拆分，儘量消除二維複雜結構。
