憶阻器技術有著令人矚目的處理能力、性能和容量,可以遠超數字架構的6、7或者8個數量級。現在的數字計算和存儲無法與我們的大腦相比,如果我們想在生物規模和速度方面進行計算,我們必須利用能夠遠遠超越這些嚴格數字的新形式硬體。
憶阻器技術有著令人矚目的處理能力、性能和容量,可以遠超數字架構的6、7或者8個數量級。現在的數字計算和存儲無法與我們的大腦相比,如果我們想在生物規模和速度方面進行計算,我們必須利用能夠遠遠超越這些嚴格數字的新形式硬體。
憶阻器技術有著令人矚目的處理能力、性能和容量,可以遠超數字架構的6、7或者8個數量級。現在的數字計算和存儲無法與我們的大腦相比,如果我們想在生物規模和速度方面...
憶阻器,全稱記憶電阻器(Memristor)。它是表示磁通與電荷關係的電路器件。憶阻具有電阻的量綱,但和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經它的電荷確定。因此,通過測定...
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展,非易失性存儲器主要分為塊定址和...
自旋憶阻器具有多種物理結構,下圖是基於推動磁疇壁的技術理淪製成,如圖3所示(a圖為自旋憶阻器的結構圖,b圖為等效電路圖)。自旋憶阻器是由一個長的自旋閥條構成...
新興技術表電子學 新興技術 現狀 潛在發展技術自旋電子學 正在工作 機械,磁硬碟器件憶阻器正在工作 一些現有積分電路,許多其它電子器件...
本書分三個部分: 半導體材料(例如,碳納米管,憶阻器及自旋有機器件); 矽器件與技術(如BICMOS,SOI,各種三維集成和RAM技術.以及太陽能電池); 複合半導體器件與技術...
RRAM,阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory), 可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫記憶體技術。...
3D磁存儲器,即3D XPoint(發音three dee cross point),是一種由英特爾和美光科技於2015年7月宣布的非易失性記憶體(NVM)技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名...
ReRAM基於憶阻器原理,致力於商業化ReRAM的企業包括惠普、Elpida、索尼、松下、...ReRAM由夏普公司研究材料技術和製造方法,Elpida公司提供存儲器的加工組合技術,東京...
研究人員預測,這種技術產品5年後才可能投入商業套用。記憶電阻器研究模型 編輯 如今,美國惠普公司實驗室的斯坦·威廉斯和同事在進行極小型電路實驗時,終於製造出憶阻...
蔡少棠認為,可變電阻式記憶體將會是一種憶阻器的形式。中文名 可變電阻式記憶體 ...(英語:programmable metallization cell,縮寫為PMC),一種新的非揮發性記憶體技術,...