快速熱處理

在半導體工藝中，需要對晶圓做快速熱處理（rapid thermal processing，RTP），即在幾秒或更短的時間內把晶圓加熱到1000 ℃左右。

基本介紹

• 中文名：快速熱處理
• 外文名：rapid thermal processing，RTP

晶圓的加熱一般使用大功率的燈泡或雷射。高功率雷射束按一定的路徑在晶圓表面掃描，快速加熱晶圓（laser scanning annealing，LSA）。這種快速熱處理工藝主要用來激活摻雜（dopant activation）、熱氧化（thermal oxidaton）等。

然而，RTP和LSA工藝的快速升溫經常導致晶圓翹曲（warpage），給隨後的光刻對準增加了困難。快速熱處理工藝後晶圓的套刻誤差增大，不能符合工藝指標的要求。