後摩爾時代的積體電路是2022年度“十大基礎研究關鍵字”之一。
後摩爾時代的積體電路是2022年度“十大基礎研究關鍵字”之一。
後摩爾時代的積體電路是2022年度“十大基礎研究關鍵字”之一。發布歷程2022年11月27日,在南方科技大學、騰訊公司共同主辦的第二屆“青年科學家502論壇”上,由“科學探索獎”獲獎人提出並投票產生的2022年度“十大基...
《後摩爾時代積體電路新型互連技術》是2017年9月科學出版社出版的圖書,作者是趙文生,王高峰,尹文言 。內容簡介 本書針對後摩爾時代積體電路中的互連難題,集中討論基於碳納米材料的片上互連技術和三維積體電路的矽通孔技術。書中簡單介紹積體電路互連技術的發展和後摩爾時代積體電路所面臨的互連極限難題,重點討論碳...
摩爾定律是內行人摩爾的經驗之談,漢譯名為“定律”,但並非自然科學定律,它一定程度揭示了信息技術進步的速度。發展歷程 1959年,美國著名半導體廠商仙童公司首先推出了平面型電晶體,緊接著於1961年又推出了平面型積體電路。這種平面型製造工藝是在研磨得很平的矽片上,採用一種所謂“光刻”技術來形成半導體電路的...
黃芊芊,1989年9月生於 江西上饒,江西峽江 人 ,中共 黨員 ,北京大學積體電路學院長聘教授、博士生導師,教育部長江學者特聘教授。長期從事後摩爾時代積體電路超低功耗微納電子器件及其套用研究,連續多年在微電子器件領域頂級國際會議IEDM和VLSI上發表論文,相關成果被國際半導體技術路線指南引用,並與國內領先的集成...
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術,今天,95%以上的積體電路晶片都是基於CMOS工藝 1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預測電晶體集成度將會每18個月增加1倍 1966年:美國RCA公司研製出CMOS積體電路,並研製出第一塊門陣列(50門),為現如今的大規模積體電路發展奠定了堅實基礎,具有里程碑意義 1967年...
H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝; 1962年:美國RCA公司研製出MOS場效應電晶體; 1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術,今天,95%以上的積體電路晶片都是基於CMOS工藝; 1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預測電晶體集成度將會每18個月增加1倍; 1966年:美國RCA公司研製出CMOS積體電路,並...
2022年10月27日,第十四屆中國積體電路封測產業鏈創新發展高峰論壇在錫舉行。活動內容 本屆高峰論壇為期兩天,以“攻堅共‘克’難,聚力‘芯’封測”為主題,重點圍繞推動封測產業創新發展進行交流研討。論壇上,許居衍以《後摩爾時代的先進封裝》為題作了精彩演講。國內積體電路封測領域專家學者和企業家代表暢談了封測...
1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預測電晶體集成度將會每18個月增加1倍 1966年:美國RCA公司研製出CMOS積體電路,並研製出第一塊門陣列(50門),為現如今的大規模積體電路發展奠定了堅實基礎,具有里程碑意義 1967年:套用材料公司(Applied Materials)成立,現已成為全球最大的半導體設備製造公司 1971年:Intel推出1kb...
第一章積體電路工藝概論 第一節摩爾定律 第二節後摩爾時代 第三節技術線圖 第四節工藝段落的劃分 第二章光刻工藝 節刻工藝流程和技術點 第二節光掩模版 第三節光刻機 第四節算刻技術 第五節工藝波動檢測 第三章刻蝕工藝 節乾法刻蝕 第二節濕法刻蝕 第三節工藝波動檢測 第四章薄膜沉積工藝 節理氣相沉積...
學院在通信積體電路與先進封測、寬禁帶半導體與功率集成、微納電子器件與微納系統等學科方面開展新一代射頻與功率器件、電路自動化設計技術、後摩爾時代關鍵器件與晶片等特色研究。2023年2月,論文入選第70屆International Solid State Circuits Conference(ISSCC),該會議是積體電路設計領域的最高級別學術會議,素有“...
學院從材料、器件、工具、設計、工藝、裝備等方向開展針對積體電路產業全鏈條的研究生培養,旨在培養國家急需的卓越工程師和行業領軍人才。圍繞後摩爾時代超低功耗計算及積體電路國家重大需求,抓住國家積體電路發展綱要及國家存儲器戰略出台的歷史機遇,學院的發展目標是建成國內一流學科並對國家的積體電路產業發展和關鍵核心...
微米/納米加工技術國家級重點實驗室、積體電路高精尖創新中心、微電子器件與電路教育部重點實驗室、積體電路科學與未來技術北京實驗室、北京市軟硬體協同設計高科技重點實驗室等多個國家、省部級創新研究平台,以及“後摩爾時代微納電子學科創新引智基地”等國際合作平台,擁有國際一流水平的微納加工與集成、器件/晶片設計...
形成體系化創新能力和系統性攻關能力,希望通過研究所之間及同企業之間的交流與合作來共同帶動我國積體電路技術創新和系統性智慧財產權布局,使我國的積體電路產業得到全面推進,引領我國積體電路技術創新,占領後摩爾時代制高點,成為我國該領域基礎性、前瞻性研究的核心基地,成為世界一流的尖端積體電路技術研發中心。
第四篇工藝集成技術 第14章工藝流程簡介 14.1CMOS邏工藝簡介 14.2常見存儲器工藝簡介 14.3後摩爾定律時代的工藝發展方向 第15章淺溝槽隔離工藝 15.1STI技術的發展歷程 15.2STI的刻蝕工藝考量 15. 3溝槽填充和氧化物退火的工藝參數考量 15.4CMP的工藝參數考量 第16章柵極工藝 16. 1引言 16.2柵極工程簡介 ...
1964年:intel摩爾提出摩爾定律,預測電晶體集成度將會每18個月增加1倍;1966年:美國rca公司研製出cmos積體電路,並研製出第一塊門陣列(50門);1967年:套用材料公司(applied materials)成立,現已成為全球最大的半導體設備製造公司;1971年:intel推出1kb動態隨機存儲器(dram),標誌著大規模積體電路出現;1971年...
第一章 2016年全球積體電路產業發展情況 第一節 產業規模 第二節 產業結構 第三節 投資情況 第四節 重點產品 第二章 2016年全球積體電路產業發展特點 第一節 產品需求和新興套用拉動全球半導體市場回暖 第二節 後摩爾時代半導體產品技術加速變革創新 第三節 全球產業政策調整為半導體競爭格局帶來不確定影響 第四節...
這些年來,積體電路持續向更小的外型尺寸發展,使得每個晶片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能,見摩爾定律,積體電路中的電晶體數量,每1.5年增加一倍。總之,隨著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標改善了,單位成本和開關功率消耗下降,速度提高。但是,集成納米級別設備的IC也存在問題...
最後隨著積體電路(IC)和微處理器的開發,昂貴笨重的計算器後來逐漸為輕薄小巧的電子器件所取代。模擬時期 電腦在這個時代仍屬稀有,人們對於問題的解決方案通常是寫死在表格紙上(像是曲線圖和列線圖解),用來一併解決相似的問題,比如說暖氣機里的溫度和壓力分布。卡方分布的列線圖解 二次大戰之前,當時的最高...
2.4 後摩爾時代——積體電路未來發展趨勢 82 2.4.1 神奇新材料——石墨烯 83 2.4.2 曲徑通幽——自旋電子 86 2.4.3 迷失的第四元件——憶阻器 90 第3章 網際網路 94 3.1 網際網路起源與發展 95 3.1.1 網際網路的前身——阿帕網 95 3.1.2 早期網際網路——網際網路與全球資訊網 97 3.1.3 瀏覽器之爭...
CMOS出現之初速度較慢,RF電路多採用雙極型器件。然而隨著半導體工藝以摩爾定律飛速進步,MOS管的溝道長度大大縮小,其工作速度大為提高,功耗也大大下降,成為RFIC的一種經濟性很好的平台。例如,Intel21世紀發布了CMOS Wi-Fi RFIC。 21世紀隨著各晶片製造跨入90nm時代,CMOS電路已經可以工作在40GHz以上,甚至達到100GHz...
機器學習與可視計算中心 網路科學中心 後摩爾時代器件與集成系統研究中心 先進電力與能源系統中心 自動化與機器人中心 計算機系統與安全中心 師資隊伍 截至2014年9月,上海科技大學信息科學與技術學院的師資如下:教授 訪問教授 特聘教授(中國科學院系統)學院期刊 《ShanghaiTech University SIST NEWSLETTER》,季刊。
方向一:後摩爾邏輯器件 針對目前Si基CMOS器件的速度與功耗瓶頸,探索碳納米管器件、量子器件、二維材料器件等新型邏輯器件在邏輯計算中的潛力,發展高速、低功耗的新型邏輯器件。方向二:新型存儲器及套用 針對“大數據”時代海量數據的存儲需求,發展基於新材料和新原理的非易失性高密度存儲器技術,包括嵌入式和獨立式...
幾十年來,CMOSIC一直遵循摩爾定律不斷發展,通過縮小器件尺寸,不斷提高集成度。近幾年己有很多文章報導了小於I00nm的MOS器件的研究和製作。從目前的發展預測,在21世紀的前十年,CMOS器件的特徵尺寸將從幾百納米縮小到幾十納米。研究進入納米尺寸的CMOS器件面臨的技術挑戰和物理問題已成為當前迫切而重要的研究課題。載流...