張碩(雲南大學材料科學與工程學院碩士生導師)

張碩，男，博士，雲南大學材料科學與工程學院教授（四級）、碩士生導師。以Chen-Möbius多重晶格反演數論方法，主要從事基於第一原理計算的離子晶體、稀土金屬間化合物、過渡金屬、化合物半導體、核反應堆器壁材料及Ge-Sb-Te相變存儲材料和超硬材料晶體結構演變相關的原子間相互作用勢方向的計算模擬研究開發工作。

基本介紹

• 中文名：張碩
• 國籍：中國
• 畢業院校：清華大學
• 學位/學歷：博士
• 專業方向：凝聚態物理學
• 職務：雲南大學碩士生導師

人物經歷

教育背景

學歷	時間	畢業學校	專業	學位
本科	1986.9—1990.7	華中理工大學*	半導體物理與器件	學士
碩士	1990.9—1993.7	華中理工大學	半導體器件與微電子技術	工學碩士
博士	1999.3—2003.3	清華大學	凝聚態物理學	理學博士

*現為華中科技大學

出國研修經歷

1999年到日本岡上理科大學光藤實驗室進行環境功能材料研修；2005年獲國家基金委基礎課教師出國研修經費支持，到美國伊利諾伊大學進行教學法研修，獲合格證書。

研究課題

1．2011-2015，年作為學術骨幹參與973項目：面向性能的材料集成設計的科學基礎問題中的課題名稱：材料原子勢庫創新服務系統（編號：2006CB605101）；2. 2006-2010，年作為學術骨幹參與973項目：基於集成計算的材料設計基礎科學問題中的課題：複雜材料原子間相互作用勢庫的創新與拓展（課題編號：2011CB606401）。

獲獎記錄

獲雲南大學2006年伍達觀優秀教師獎。

學術成果

第一作者發表文章：

1． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2002)，Ab initio interionic potentials for NaCl by multiple lattice inversion, Physical Review B66, 064106

2． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Lattice inversion for interionic pair potentials, Journal of Chemical Physics118, 3974

3． Shuo Zhang, (2003)，Nanxian Chen, Determination of the B1-B2 transition path in RbCl by Mobius pair potentials, Philosophical Magaazine 83(12),1451

4． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Energies and stabilities of sodium chloride lusters based on inversion pair potentials, Physica B325, 172

5． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Molecular dynamics simulations for high-pressure induced B1-B2 transition in NaCl by Mobius pair potentials , Modelling Simul. Mater. Sci. Eng.11(3):331-338

6． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Study on the high-pressure properties of KCl crystal by inversion pair potentials, Materials Science and Engineering B99, 588

7． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Atomistic simulations of B1-B2 phase transition in KCl based on inversion pair potentials, Acta Materilia 51/20, 6151

8． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2005), Lattice inversion for interatomic potentials in AlN, GaN and InN, Chem. Phys. 309，309-321

研究方向

1,。基於Finnis-Sinclair形式嵌入原子相互作用勢模型，以簡單第一性計算結果作為數據源，以雙重晶格反演方法，進行金屬及金屬間化合物的原子間相互作用勢研究；並進行有關的分子力學、分子動力學和晶格動力學計算，提供相穩定性、高壓相變及低維納米結構演變相關的原子級圖像，闡述結構性能變化的原子構型關係；

2. 利用多重晶格反演方法，結合變電荷模型，獲取反映與電荷相關的有效原子間相互作用勢，建立化合物半導體原子間相互作用勢庫，以大規模的原子級模擬描述低維納米結構的形成機制；

3. 在經驗原子相互作用勢的基礎上，拓展晶格反演方法至間隙結構，獲得有效的Be-W和Fe-He等核反應堆器壁材料原子間相互作用勢，揭示決定核反應堆材料安全的原子擴散機制；

4．在低維原子結構材料的皺褶及應力結構演變基礎上，進一步運用晶格反演方法獲取可反映sp3→sp2化學鍵性質的原子間相互作用勢，展現不同尺度和邊界條件的低維材料原子結構演變的規律。