《室溫透明磁性半導體及相關器件》是依託清華大學,由章曉中擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:室溫透明磁性半導體及相關器件
- 依託單位:清華大學
- 項目負責人:章曉中
- 項目類別:面上項目
《室溫透明磁性半導體及相關器件》是依託清華大學,由章曉中擔任項目負責人的面上項目。
《室溫透明磁性半導體及相關器件》是依託清華大學,由章曉中擔任項目負責人的面上項目。項目摘要目前的稀磁半導體大都是在半導體材料里摻入少量鐵磁元素,但是這種稀磁半導體的居里溫度不高,無法滿足電子自旋器件的工作要求。和稀磁半導...
限制濃縮磁性半導體實際套用的不僅僅是其遠低於室溫的居里溫度,高質量的濃縮磁性半導體薄膜及其異質結構的生長製備和加工方面也存在著難以克服的困難,因此,迄今為止這些岩鹽結構和尖晶石結構的磁性半導體主要用於基礎研究和概念型器件的研究。
稀釋磁性半導體材料的製備 寬頻隙半導體材料可能具有室溫或者更高溫度的鐵磁性依賴,大量不同的材料製備方法被成功地用於研究寬頻隙DMS的合成。常見的半導體材料製備手段,如分子束外延(MBE),金屬有機化學氣相澱積(MOCVD),離子注入,氨熱法...
作為集磁和電為一體的新型功能材料,稀磁半導體材料在自旋電子器件中有著重要的套用潛能。探索其室溫磁性來源並實現對其磁性的調控是推動其套用的重要因素。本項目以氧化物磁性半導體薄膜為例,在最佳化其關鍵製備參數的基礎上,通過選擇具有不...
從磁性半導體、自旋電子的注入、檢測、輸運等方面綜述半導體自旋電子學的最新研究進展,並且指出半導體自旋電子學研究的重點及難點。自旋電子的注入 製造自旋電子器件最關鍵的問題就是在不需要強磁場和室溫情況下如何把自旋極化電子從磁性半導體...
半磁半導體是研究順磁—自旋玻璃—反鐵磁態及固體中的無序體系、團簇玻璃態和混磁態的優良材料,主要套用於各類光電器件。稀磁半導體是指過渡金屬元素取代非磁性半導體中的部分原子後所形成的磁性半導體,因此它既有半導體性質又有磁性的...
1200℃退火後,大多數Mn原子形成了Mn4Si7第二相,薄膜具有金屬-半導體轉變的輸運行為。Mn摻雜SiC薄膜的室溫鐵磁性隨退火溫度的升高而增加。BMP理論模型適合解釋製備態和800℃退火薄膜的鐵磁性來源,而1200℃退火薄膜的鐵磁性來源可考慮為...
其中原因包括磁有序溫度低於室溫,自旋熱翻轉導致半金屬性被破壞,合成困難或可控制較差等。在本項目中,我們致力於通過計算機模擬方法設計具有特殊功能的磁性半導體材料,以及尋找在室溫環境下可用的磁性半導體和半金屬材料,為自旋電子學器件...
《稀磁氧化物材料及相關自旋器件的微結構與性能》是依託清華大學,由潘峰擔任項目負責人的面上項目。 項目摘要 稀磁氧化物(DMO)被看作是一種很有前途的自旋源,獲得有室溫磁性的DMO材料將帶動半導體自旋電子學的發展和自旋器件的套用...
最近,高於室溫的鐵磁性在hhl摻雜的ZnO體小球和2~3μm厚的透明薄膜樣品中被觀察到。鐵磁共振譜(FMR)研究被用來探測鐵磁有序以及可能存在的其他磁性樣品,並且清楚地給出了對於名義上摩爾分數為2%Mn摻雜ZnO小球的鐵磁譜,T超過425 K...
該鐵磁性半導體和矽材料在晶格結構上匹配良好,可以利用現有的設備和工藝將其作為自旋載流子源與矽基的微電子器件進行集成,製成功能強大的自旋電子器件,因此本研究具有重要的研究價值和套用前景。通過對該材料體系深入的研究,可以為自旋...
本項目的實施,對於實現新型的半導體自旋電子學器件的套用提供重要的實驗數據。結題摘要 氧化物磁性半導體具有高於室溫的鐵磁性,因此在半導體自旋電子學器件方面有較大的套用前景。磁性氧化物由於具有豐富的結構和物理特性而得到廣泛的關注,...
《SnO2基稀磁半導體的磁性起源及其機理研究》是依託濟南大學,由張昌文擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 同時利用電子的電荷和自旋屬性製作的自旋電子學器件在當今的信息社會具有廣闊的套用前景,揭示其磁性來源並尋找具有室溫鐵磁性的...
《半導體的幾何增強磁電阻研究》是依託清華大學,由章曉中擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 章曉中研究組2011年9月在Nature發文報導了在半導體矽中實現了幾何增強的室溫低場磁電阻,該磁電阻接近商用的巨磁阻的水平,該工作受到了國際和...