《Ⅳ族鐵磁性半導體材料的製備、結構和性能》是依託山東大學，由陳延學擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：Ⅳ族鐵磁性半導體材料的製備、結構和性能
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：陳延學
- 依託單位：山東大學
- 支持經費：10（萬元）
- 研究期限：2005-01-01 至 2005-12-31
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：E0209
- 批准號：50402019
中文摘要
作為一種具有豐富物理內涵和重要套用前景的信息功能材料，磁性半導體已成為自旋電子學這個新領域的研究熱點。考慮到目前研究的大多數磁性半導體在晶格結構上與目前微電子行業廣泛套用的矽材料難以兼容，我們計畫利用離子注入技術、雷射分子束外延和高真空濺射技術製備以SiC、SiGe等Ⅳ族半導體材料為母體的鐵磁性半導體。通過研究過渡族元素離子種類、濃度以及載流子類型、濃度對鐵磁性半導體材料結構、電性和磁性的影響規律和機制，探索得到提高其居里溫度的可能途徑，並製備出具有高居里溫度、高自旋極化率以及和Si材料高度兼容的新型鐵磁性半導體。該鐵磁性半導體和矽材料在晶格結構上匹配良好，可以利用現有的設備和工藝將其作為自旋載流子源與矽基的微電子器件進行集成，製成功能強大的自旋電子器件，因此本研究具有重要的研究價值和套用前景。通過對該材料體系深入的研究，可以為自旋電子學的進一步發展提供有價值的材料基礎。
