《Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的特性》是2009年科學出版社出版的圖書，作者是(日)Sadao Adachi。
基本介紹
- 中文名：Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的特性
- 作者：(日)Sadao Adachi
- 出版時間：2009年
- 出版社：科學出版社
內容簡介,圖書目錄,
相關詞條
- 半導體材料(物理名詞)
二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結構。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結構,它們在套用方面僅次於Ge、Si,有很大的發展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:...
- 化合物半導體材料
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物...
- 三元化合物半導體材料
化合物半導體主要是二元化合物半導體如Ⅲ—Ⅳ族、Ⅱ—Ⅵ族等。隨著電光半導體裝置、紅外檢測器、固體雷射器等器件的廣泛套用，對半導體的帯隙能E提出了新的要求。然而，已有的二元化合物半導體Ⅲ-Ⅴ族或者Ⅱ-Ⅳ族已經難以滿足這些要求。...
- 半導體光伏器件
4.1.2 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的性質 98 4.2 Ⅲ-Ⅴ族半導體太陽能電池的套用 99 4.2.1 空間套用 99 4.2.2 陸地能源套用 102 4.3 Ⅲ-Ⅴ族單結及多結太陽能電池基礎 103 4.3.1 直接帶隙與間接帶隙 103 4.3.2 單結及多...
- 壓電半導體
壓電半導體是兼有壓電性質的半導體材料。CdS、CdSe、ZnO、ZnS、CdTe、ZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物，GaAs、GaSb、InAs、InSb、AIN等Ⅲ-Ⅴ族化合物都屬於壓電半導體。它們具有一定的離子性，當施以應變時，正負離子會分開一定的距離，產生電極化，...
- 化合物半導體太陽能電池
若用Ⅰ-Ⅲ族元素取代Ⅱ-Ⅵ族化合物中的Ⅱ族元素， 則得到 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元化合物， 如硒銦銅(CuInSe)、硫銦銅(CuInS)等。對應地，用Ⅱ-Ⅳ族元素代替Ⅲ-Ⅴ族化合物中的Ⅲ族元素，則構成Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ族三元化合物， 如鋅矽砷 (...
- 稀磁半導體
MOCVD法利用有機金屬熱分解進行氣相外延生 長，可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料， 形成厚度精確控制到原子級的薄膜，從而又可以製成 各種薄膜結構型材料。MOCVD法主要用於制 備Ⅱ-Ⅵ及Ⅲ-Ⅴ族的稀磁半導體。離子注入法 在對於...
- N型半導體
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半導體，如ZnO、Ta₂O₅等，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度...
- 半導體概論
2.2.6 其他元素半導體 2.3 化合物半導體 2.3.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物 2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物 2.3.3 氧化物半導體 2.3.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物 2.3.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物 2.3.6 其他化合物半導體 2.3.7 半導體固溶體 2.4 有機...
- 含鉍III-V族材料的分子束外延生長及中紅外雷射器研究
預計這種材料可以把近紅外套用延伸到更長波長，而其大自旋軌道劈裂還為自旋器件提供了新的機遇。本項目旨在利用分子束外延，生長高質量的含鉍III-V族半導體材料，研究其光學和電學特性，在國內開闢III-V族鉍化物材料與器件研究新方向，...
- 半導體物理學(2007年國防工業出版社出版的圖書)
Ⅴ族元素如磷、砷、銻摻入矽或鍺，取代原來的Ⅳ族原子；或Ⅵ族元素摻入Ⅲ-Ⅴ化合物，取代其中Ⅴ族原子；都可以形成類氫能級。在這類能級中，多一價的雜質原子構成正電荷中心，以其庫侖電場束縛電子，類似於氫原子。但是，由於介電...
- 光伏發電原理、技術及其套用
732光伏併網逆變器的功能214 習題215 參考文獻215 附錄217附錄A常用物理常數表217 附錄BⅣ族半導體材料的性質218 附錄CⅢ-Ⅴ族半導體材料的性質219 附錄DⅡ-Ⅵ族半導體材料的性質220 附錄EⅣ-Ⅵ族半導體材料的性質221 ...
