外延堆垛層錯（epitaxy stacking fault）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：外延堆垛層錯
- 外文名：epitaxy stacking fault
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
外延堆垛層錯
相關詞條
- 外延堆垛層錯
外延堆垛層錯（epitaxy stacking fault）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
- 堆垛層序
堆垛層錯就是指正常堆垛順序中引入不正常順序堆垛的原子面而產生的一類面缺陷，是晶體中的一類巨觀缺陷。主要出現在用外延方法生長的晶體中。堆垛層錯詳解 在晶體點陣中，密排原子面規則堆垛次序發生差錯引起的一種晶體二維缺陷，簡稱層錯。以面心立方點陣為例，密排面{111}的規則堆垛次序為ABCABCABC…；李晶界面...
- 外延生長缺陷
將導致器件失效。這些失效是由與缺陷相關的電子態，產生了額外漏電而直接導致的。失效也可以是間接造成的，在工藝過程中缺陷捕獲晶圓片中的其他雜質，能夠產生缺陷電子態，這些缺陷還將引起工藝中的額外的雜質擴散，改變電晶體特性。套用 最常見的外延生長缺陷是位錯和堆垛層錯。
- 層錯
層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上，當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後，經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯，稱之為OISF。因為每個層錯都結合著部分位錯，所以層錯對矽單晶片的電性質影響與位錯相似。簡介 矽單晶沿[111]方向生長，原子排列次序一定是 AA’BB’CC’…，但是由於某種原因，...
- 半極性面GaN堆垛層錯的形成機理和生長調控研究
採用透射電子顯微鏡，原子力顯微鏡和X射線衍射技術對其進行了表征，透射電子顯微鏡測試結果表明，半極性材料中的堆垛層錯密度從 2.5×10E10 cm-2 降低到5×10E8 cm−2，SiNx插入層在上面橫向外延的GaN上產生了沒有位錯和基平面堆垛層錯的區域，經過SiNx插入層作用以後，材料中的堆垛層錯密度2.1×10E5 cm-1 ...
- 抽出型層錯
抽出型層錯是一種層錯現象。抽出型層錯詳解 在外延生長過程中，晶體沿著[111]方向生長時，原子層排列順序在某一區域出現返廠的情況，少了一層B，而變成按照ACABCABCABC的順序排列，成為抽出型層錯。相關概念 層錯 層錯是面缺陷的一種，層錯可以通過多種物理過程形成。在晶體生長過程中，原子以不正常順序堆堆積...
- 藍寶石基無極性GaN薄膜外延生長及LED器件研究
本項目從發展高發光功率GaN基LED出發，為了消除C面GaN材料的極化效應，圍繞在R面藍寶石襯底上，無極性GaN薄膜材料外延生長的技術問題，研究、探索提高無極性GaN薄膜材料生長質量的新方法、新技術以及光電器件製備中的關鍵基礎技術。.由於在R面藍寶石襯底生長的A面GaN薄膜的位錯密度和堆垛層錯密度較高，結晶質量較差。如...
- 晶圓
堆垛層錯(Stacking Fault)也是可以在外延層中發現的缺陷，一般是由於晶體結構中密排面的正常堆垛順序遭到了破壞，其尺寸通常在微米級別。如圖所示。機械損傷 機械損傷一般指晶圓表面因為拋光或者切片造成的劃痕，一般是由化學機械研磨（CMP）造成的，成弧狀，也有可能是非連續點狀分布，如圖10所示。這種損傷有大有小，...
- 異質結原理與器件
6.4.2 堆垛層錯 6.4.3 不全位錯 6.4.4 位錯反應及擴展位錯 6.4.5 Thompson四面體及記號 6.5 位錯的實驗觀測 第7章 寬頻隙半導體材料 7.1 SiC半導體 7.1.1 SiC的同質多型結構 7.1.2 SiC的薄層外延 7.1.3 SiC的摻雜 7.1.4 SiC的氧化 7.1.5 SiC的刻蝕 7.1.6 SiC的歐姆接觸 7.2 Ⅲ...
