《藍寶石基無極性GaN薄膜外延生長及LED器件研究》是依託深圳大學，由彭冬生擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：藍寶石基無極性GaN薄膜外延生長及LED器件研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：彭冬生
- 依託單位：深圳大學
- 負責人職稱：副研究員
- 批准號：60806017
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0403
- 支持經費：21（萬元）
項目摘要
本項目從發展高發光功率GaN基LED出發，為了消除C面GaN材料的極化效應，圍繞在R面藍寶石襯底上，無極性GaN薄膜材料外延生長的技術問題，研究、探索提高無極性GaN薄膜材料生長質量的新方法、新技術以及光電器件製備中的關鍵基礎技術。.由於在R面藍寶石襯底生長的A面GaN薄膜的位錯密度和堆垛層錯密度較高，結晶質量較差。如何進一步降低無極性GaN外延膜的位錯密度，提高其晶體質量是本項目的研究重點。針對無極性GaN外延膜高位錯密度的問題，基於橫向外延生長原理，並結合MOCVD薄膜生長技術，採用化學方法處理R面藍寶石襯底表面，以形成一定的圖案，然後在此一定圖案的R面藍寶石襯底上外延生長出高質量的無極性GaN薄膜；隨後，採用中溫超薄富鎵插入層，進行二次橫向外延生長，進一步降低位錯密度，生長出更高質量的無極性GaN薄膜，並在此基礎上外延生長出高效無極性GaN基LED外延片。
