場氧化層(field oxide)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:場氧化層
- 外文名:field oxide
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
- 審定機構:全國科學技術名詞審定委員會
場氧化層(field oxide)是1993年公布的電子學名詞。
場氧化層(field oxide)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
矽在空氣中會氧化形成天然的氧化層的過程稱為熱氧化。矽IC成功的一個主要原因是,能在矽表面獲得性能優良的天然二氧化矽層。該氧化層在MOSFET中被用做柵絕緣層,也可作為器件之間隔離的場氧化層。連線不同器件用的金屬互聯線可以放置在場氧化層頂部。大多數其他的半導體表面不能形成質量滿足器件製造要求的氧化層。矽...
氧化層主要有三個方面的問題:(1)矽氧化層在靠近矽的附近有很多缺陷,如高密度的電子和空穴陷阱。這些陷阱能引入快界面態,造成偏壓與溫度應力下的電荷不穩定性。(2)矽與二氧化矽的熱膨脹係數不同而產生了拉伸應力使矽附近氧化層產生較多的缺陷。(3)普遍認為在矽附近100nm厚的氧化層區是屬於缺陷較多的區,如氧化...
平能帶區(flat band region):V=V,此時金屬端(或多晶矽)和半導體端的能帶為水平,即沒有壓降或電場落在半導體內,兩端費米能階(Fermi Level)的差即V的絕對值。注意,此時氧化層壓降或電場均不為0,除非V= 0。在金氧半電容的特性分析中,偏壓常常是相對於平能帶電壓。空乏區(depletion region):V>V(...
在微電子學中,場區是指一種很厚的氧化層,位於晶片上不做電晶體、電極接觸的區域,可以起到隔離電晶體的作用。有源區和場區是互補的,電晶體做在有源區處,金屬和多晶矽連線多做在場區上。CMOS工藝中的場區(即電晶體以外的區域)需要較厚的氧化層,目的是提高場開啟電壓,使其高於工作電壓,形成良好的隔離;...
n-MOSFET 和 p-MOSFET,必須形成絕緣的 p 襯底區和 n 襯底區,因此,CMOS 積體電路中具有 n 阱、p 阱和雙阱這三種工藝,本文針對 n 阱工藝下 CMOS 反相器進行研究,即在重摻雜的 p 型襯底矽上先生長一層輕摻雜 p 型外延層,然後通過 n 阱擴散工藝形成 n 阱,之後再製作場氧化層和柵氧化層,利用雜質...
目前被廣泛研究並用於CMOS工藝的主要有兩種器件結構:體矽MOSFET和501MOSFET。體矽MOSFET是傳統的CMOS器件,隨著尺寸的縮小,對體矽MOSFET採取了一系列改進,如提高溝道摻雜濃度、減薄柵氧化層厚度、降低源/漏結深等。體矽MOSFET相對比較容易生產,所以它仍然是幾乎所有基於CMOS工藝的產品的標準結構。為了獲得小尺寸的溝道長度...
由於結型場效應電晶體器件柵氧化層與半導體溝道界面的不完整性,載流子受到散射,遷移率下降,可靠性降低。MOS器件遵循“摩爾定律”,特徵尺寸持續按比例微縮,基於PN結的MOS場效應電晶體器件弊端越來越明顯:源漏距離不斷縮短,產生短溝道效應,柵控能力變差,器件性能及可靠性嚴重退化;為防止源漏穿通,採用超陡摻雜...
(氟里昂14)在等離子加速場中不斷與電子碰撞而離解成F游離基,第二步是矽原子和4個氟游離基進符化學反應,形成 揮發性氣體。乾腐蝕副作用 輻射損傷 在等離子腐蝕過程中,襯底要承受高能電子、離子和光子的轟擊,使器件產生不應有的損傷。柵氧化層和 界面對這些粒子輻照引起的損傷特別敏感。輻射損傷的主要形式有:...