《單晶氧化錫外延薄膜的製備及性能研究》是依託山東大學,由馬瑾擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:單晶氧化錫外延薄膜的製備及性能研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:馬瑾
- 依託單位:山東大學
- 批准號:50872073
- 申請代碼:E0207
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費:35(萬元)
中文摘要
採用MOCVD方法分別在氧化鋯(ZrO2)和碳化矽(SiC)單晶襯底上外延生長單晶氧化錫(SnO2)半導體薄膜材料。系統地研究在這兩種單晶襯底不同晶面上薄膜生長的晶格適配問題,尋找製備外延氧化錫單晶薄膜的最佳襯底和工藝條件;研究製備薄膜的晶格結構、缺陷及其對電學和光致發光性質的影響;研究摻雜薄膜的結構和光電性質及摻雜機理;研究氧化錫薄膜的能帶結構和發光機制。紫光及紫外光發光二極體和雷射器在全色顯示、白光照明以及光信息存儲等領域有著極其廣闊的套用前景。與氮化鎵和氧化鋅相比較,氧化錫材料不僅具有更寬的帶隙(3.6eV)和更高的激子束縛能(130meV),而且具有製備溫度低和物理化學穩定性好等優點,是一種很有前途的紫外光材料。性能優良的單晶氧化錫外延薄膜材料在透明電子器件、紫外光發光器件、紫外探測器等領域具有重要的套用價值。對單晶氧化錫外延薄膜材料進行系統地研究,將為該材料的實際套用奠定基礎。