《單分子結的界面結構表征和其電輸運及調控研究》是依託山東師範大學,由王傳奎擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:單分子結的界面結構表征和其電輸運及調控研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:王傳奎
- 依託單位:山東師範大學
《單分子結的界面結構表征和其電輸運及調控研究》是依託山東師範大學,由王傳奎擔任項目負責人的面上項目。
《單分子結的界面結構表征和其電輸運及調控研究》是依託山東師範大學,由王傳奎擔任項目負責人的面上項目。項目摘要利用單分子的性質來構築納米電子功能器件是納電子學的一個主要發展領域。在單分子水平上實現對單分子電荷輸運的理解、調...
本項目圍繞“超薄鐵電聚合物薄膜力電特性”展開研究,主要在以下方面取得重要進展:理論方面,運用分子模擬方法,計算了單分子層Au/PVDF/Ir隧道結在“F-Au”和“H-Au”兩種狀態下的結構以及能量,以及“F-Au”和“H-Au”狀態下的 P(VDF-TrFE)單分子層隧道結的輸運性質,解釋了界面和力學調控單分子層極性以及...
熱擴散和熱波)、界面接觸效應和晶片產熱傳熱特性,構建基於分子動力學-界面元-有限元的熱物理模型,運用多尺度分析方法,研究熱擴散勢壘區的熱-電輸運特性;採用變頻方波電源驅動熱電模組,分析界面接觸熱阻、電阻和尺寸對熱電製冷性能的影響,尤其是界面接觸效應和熱傳輸形式變化的耦合區間;闡述熱電製冷的界面熱-電輸運...
得到對應的Seebeck係數,並在交叉納米線結構的基礎上,測得接觸熱導,進而實現原子/分子接觸中熱電轉換優值係數的實驗測量;利用商用軟體計算電子能帶結構,採用非平衡格林函式法得到透射係數,根據Landauer理論分析材料結構、尺寸等因素對優值係數的影響;結合實驗測量和理論計算結果,揭示原子/分子接觸過程中熱電輸運的本質...
主要研究領域包括自旋電子學、有機半導體表面(界面)分析與自旋注入、納米材料合成、表征與電荷輸運、超高速表面和光譜分析、薄膜太陽能電池、薄膜物理與技術、微納光電子學與器件設計、功能分子器件的設計等。現在,通過國家“985工程”等的經費支持,研究所以建立國際水平的超微結構和超快過程研究平台為目標,其中包括...
3.2 薄膜結構性能表征方法 3.2.1 標準四探針法 3.2.2 振動樣品磁強計 3.2.3 x射線光電子能譜 3.2.4 x射線衍射 3.2.5 透射電子顯微鏡 第4章 非晶氧化物界面插層研究 4.1 概論 4.2 SiO2界面插層研究 4.2.1 SiO2界面插層對NiFe薄膜電輸運性能影響 4.2.2 SiO2界面插層對NiFe薄膜磁性影響 4.3 Al...
《高性能二硫化鉬電晶體的界面調控與電輸運最佳化》是依託華中科技大學,由吳燕慶擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 近年來,基於矽的傳統CMOS器件和電路在運行速度及柔性便攜等指標上開始落後於人們的需求和工程師們的設計目標。因此,在石墨烯之外的具有禁頻寬度的新型二維材料如過渡金屬二硫系化物包括二硫化鉬MoS2等。這...
《單分子結的界面結構表征和其電輸運及調控研究》是依託山東師範大學,由王傳奎擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 利用單分子的性質來構築納米電子功能器件是納電子學的一個主要發展領域。在單分子水平上實現對單分子電荷輸運的理解、調控和開拓不僅有利於發現分子尺度電荷輸運奇異的物理現象,而且有利於實現單分子器件...
而理解它們之間界面的信息需要明確分子的吸附構型和參與輸運的分子軌道的自旋特徵。我們在銥(111)表面通過分子束外延生長製備出鈷磁性納米島,利用自旋極化掃描隧道顯微鏡首次在實空間觀測到了吸附在鈷納米島上的單分子磁體TbPc2的自旋劈裂分子軌道,並通過自旋極化掃描隧道譜直接測量到了最低未占據分子軌道自旋劈裂的大小...
最近有人在磁性半導體異質結構( 含有磁性離子 M 的 ZnSe/ ZnCaSe 量子阱)中,研究了激子的自旋行為,對載流子的擴散和激子輸運行為作出系統研究。近場光譜在研究量子點、納米晶體、表面缺陷與位錯、納米量子球及多孔矽等方面將發揮其獨特的作用。高密度信息存儲 提高信息存儲密度是科研與工業界極為關注的重大問題。目...