《同步輻射光電子能譜研究低溫下的金屬/半導體界面》是依託中國科學技術大學，由趙特秀擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：同步輻射光電子能譜研究低溫下的金屬/半導體界面
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：趙特秀
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：19774050
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 支持經費：12（萬元）
中文摘要
本課題主要研究了鹼金屬在III-V族半導體表面的吸附及界面反應，重點是：界面能帶彎曲及費米能級的釘扎；界面處元素芯能級的化學位移及原子鍵合狀態；以及鹼金屬對半導體氧化反應和氮化反應的催化作用。實驗結果表明；在氧化過程中，鹼金屬一直維繫於表面，而氧則滲入鹼金屬半導體界面，打斷了原有的鹼金屬與襯底的弱鍵合，形成穩定的半導體氧化物；催化氧化的效果與鹼金屬原子在襯底上的吸附鍵合狀態有關。研究結果還表明，表面或界面缺陷介入了界面反應，在催化過程中起了重要作用。關於鹼金屬和元素半導體的鍵合作用，本課題認為：鹼金屬的一個價電子部分地填充了半導體的表面懸掛鍵，在禁帶中形成了一個半滿的表面態帶。
