《國步輻射光電子譜研究》是依託中國科學技術大學，由許振嘉擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：國步輻射光電子譜研究
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：許振嘉
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：研究員
- 申請代碼：A2001
- 研究期限：1993-01-01 至 1996-12-31
- 批准號：19234012
- 支持經費：24（萬元）
中文摘要
根據新一代多層異質結構電致發光顯示器件急待解決的基本物理問題，用同步輻射光電子能譜技術研究了Ⅱ-Ⅵ族半導體相關異質結界面的能帶排列，獲得了有關價帶和導帶偏移的大量實驗測量結果，並探討了影響能帶偏移的若干重要的界面因素，為器件的工藝設計和選擇更有效的電致發光材料提供了物理依據。對所測量的所有異質結界面均進行了理論分析和計算，實驗與理論結果之間取得了很好一致，對半導體異質結能帶偏移的本質規律進行了一定的探討。結合實驗測量，發展並利用LMTO方法從理論上對幾種典型的Ⅱ-Ⅵ族半導體表面及其界面電子結構進行了較為深入全面的研究。研究工作基本實現了預期的目標，並結合國內外的研究形勢，及時擴大了研究的領域和範圍，取得了較豐碩的成果。
