《稀土金屬/半導體界面電子結構的同步輻射研究》是依託中國科學技術大學，由徐世紅擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：稀土金屬/半導體界面電子結構的同步輻射研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：徐世紅
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：助理研究員
- 批准號：19404013
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 申請代碼：A2004
- 支持經費：7（萬元）
中文摘要
利用同步輻射光電子能譜研究了稀土金屬Sm和Gd分別與Si（100）和GaAs（100）及鈍化的GaAs和GaP界面的電子結構，進一步研究了稀土Gd薄膜的氧化和少量的Gd對半導體GaAs表面氧化的催化作用。實驗發現Sm在Si（100）2×1表面吸附時，經歷了初始的原子聚集（θ＜0.5ML），反應擴散（0.5ML＜θ＜4-6ML）和金屬化Sm膜的形成三個階段；對應的Sm表現為變價行為，初始吸附表現為Sm（2+），在高覆蓋度下，表現為Sm（2+）和Sm（3+）共存。Sm在GaAs（100）表面的吸附表明，Sm/GaAs的界面作用很弱，隨著增加Sm的覆蓋度，Sm與襯底的Ga發生置換反應，形成Sm-As鍵保留在Sm/GaAs界面處，少量被置換的金屬Ga原子溶解在金屬化的Sm膜中，並偏析在Sm膜表面。稀土金屬Gd薄膜的氧化研究表明，它很容易形成穩定的Gd2O3氧化物薄膜，正是由於薄膜Gd2O3的形成，阻止了Gd薄膜的一步深度氧化；實驗還發現少量的稀土Gd原子可以促進GaAs襯底的深度氧化，體現了Gd對GaAs氧化的催化作用。
