反應速率限制

在低的晶圓片溫度下，澱積速率隨溫度倒數減小而增加，在此區域，工藝中的限制在於某一步反應的速率，該反應可能發生在氣相中也可能在表面。所提供的信息不足以確定氣體是處於化學平衡還是動力學控制的。

基本介紹

• 中文名：反應速率限制
• 外文名：reaction rate limited

定義

在低的晶圓片溫度下，所提供的信息不足以確定氣體是處於化學平衡還是動力學控制的，工作在這一區的工藝稱為反應速率限制。

原理

在在高的晶圓片溫度下，生長速率受反應物質輸運速率限制。通常假設輸運速率是受跨越邊界的擴散限制。工作在這一區域的工藝稱為質量輸運限制的。於是一種或多種澱積氣體的濃度控制澱積速率。

特點介紹

以這一方式工作的CVD（化學氣相澱積）系統必須有良好的溫度控制和溫度均勻性。這些系統最初是大批量（即多個晶圓片同時加工）系統，在這類系統中許多晶圓片以相當低的速率加工。

套用

積體電路工藝中澱積薄膜層。