《半導體薄膜技術基礎》是2018年1月電子工業出版社出版的圖書，作者是李曉乾、劉勐、王奇。
基本介紹
- 中文名：半導體薄膜技術基礎
- 作者：李曉乾、劉勐、王奇
- 出版社：電子工業出版社
- 出版時間：2018年1月
- 頁數：148 頁
- 定價：49 元
- 開本：16 開
- ISBN：9787121328800
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書對當前主要套用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所套用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。
本書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。
圖書目錄
目 錄
第1章 緒論 1
本章小結 5
習題 6
第2章 矽單晶材料學 7
2.1 矽及其化合物的基本性質 7
2.2 矽的晶體結構 13
2.3 矽的生長加工方法 16
2.4 矽材料與器件的關係 19
本章小結 21
習題 22
第3章 薄膜基礎知識 23
3.1 薄膜的定義及套用 23
3.2 薄膜結構、缺陷及基本性質 26
3.2.1 薄膜的基本結構及缺陷 26
3.2.2 薄膜的基本性質 29
3.3 薄膜襯底材料的一般知識 34
3.3.1 玻璃襯底 34
3.3.2 陶瓷襯底 35
3.3.3 單晶體襯底 36
3.3.4 襯底清洗 37
3.4 薄膜的性能檢測簡介 40
3.4.1 薄膜的厚度檢測 40
3.4.2 薄膜的可靠性 43
本章小結 44
習題 44
第4章 氧化技術 46
4.1 二氧化矽（SiO2）薄膜簡介 47
4.2 氧化技術原理 49
4.2.1 熱氧化技術的基本原理 50
4.2.2 水汽氧化 51
4.2.3 濕氧氧化工藝原理 52
4.2.4 三種熱氧化工藝方法的優缺點 53
4.3 氧化工藝的一般過程 54
4.4 氧化膜質量評價 58
4.4.1 SiO2薄膜表面觀察法 58
4.4.2 SiO2薄膜厚度的測量 58
4.5 熱氧化過程中存在的一般問題分析 61
4.5.1 氧化層厚度不均勻 61
4.5.2 氧化層表面的斑點 61
4.5.3 氧化層的針孔 62
4.5.4 SiO2氧化層中的鈉離子污染 62
本章小結 62
習題 63
第5章 濺射技術 64
5.1 離子濺射的基本原理 64
5.1.1 濺射現象 64
5.1.2 濺射產額及其影響因素 65
5.1.3 選擇濺射現象 70
5.1.4 濺射鍍膜工藝 70
5.2 濺射工藝設備 72
5.2.1 直流濺射台 74
5.2.2 射頻濺射台 77
5.2.3 磁控濺射 79
5.3 濺射工藝套用及工藝實例 80
本章小結 83
習題 83
第6章 真空蒸鍍技術 84
6.1 真空蒸鍍技術簡介 84
6.2 真空蒸鍍工藝的相關參數 86
6.2.1 工藝真空 86
6.2.2 飽和蒸氣壓 88
6.2.3 蒸發速率和沉積速率 88
6.3 真空蒸鍍源 89
6.4 真空蒸鍍設備 90
6.4.1 熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機） 92
6.4.2 電子束蒸發台 94
本章小結 96
習題 97
第7章 CVD技術 98
7.1 CVD技術簡介 98
7.2 常用CVD技術簡介 99
7.3 低壓化學氣相澱積（LPCVD） 103
7.4 PECVD 107
7.5 CVD系統的模型及基本理論 115
7.6 CVD工藝系統簡介 117
7.6.1 CVD的氣體源系統 118
7.6.2 CVD的質量流量控制系統 118
7.6.3 CVD反應腔室內的熱源 119
本章小結 119
習題 119
第8章 其他半導體薄膜加工技術簡介 121
8.1 外延技術 121
8.1.1 分子束外延 121
8.1.2 液相外延（LPE） 123
8.1.3 氣相外延（VPE） 124
8.1.4 選擇外延（SEG） 125
8.2 離子束沉積和離子鍍 126
8.3 電鍍技術 128
8.4 化學鍍 131
8.5 旋塗技術 131
8.6 溶膠-凝膠法 133
本章小結 134
習題 134
參考文獻 134
