《新型鐵電薄膜及其鐵電半導體場效應器件基礎研究》是依託復旦大學，由湯庭鰲擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型鐵電薄膜及其鐵電半導體場效應器件基礎研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：湯庭鰲
- 負責人職稱：教授
- 批准號：69476017
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 申請代碼：F0406
- 支持經費：12（萬元）
項目摘要
研究了用SOL-GEL方法生長鐵電薄膜的技術。研究了材料組分，燒結和退火溫度等對鐵電薄膜特性的影響，得到良好的鐵電電滯回線，剩餘極化強度達到20μC/cm（2），漏電流為10（9）-10（10）/cm（2）。研究了鐵電薄膜電容的金屬電極材料，選擇鈦和鉑作為電極材料，並探索了一整套製備鐵電薄膜電容的工藝，包括鐵電薄膜，鉑，鈦等的反應離子刻蝕技術。探索了PZT在不揮發存儲器中的套用，解剖了國外樣管，驗證了存儲器電路，設計了鐵電不揮發存儲器試驗版圖（由12塊光刻版構成）為今後研製FRAM打下了基礎。鈦酸鋇薄膜作為鐵電材料，試驗了MFS電晶體結構，測試了它的高頻C-V特性，得到存儲視窗△V=0.82V。在國內刊物等發表論文9篇。
