《大幅度提高鐵電場效應管(FeFET)中存儲電荷保持時間》是依託復旦大學，由江安全擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：大幅度提高鐵電場效應管(FeFET)中存儲電荷保持時間
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：江安全
- 批准號：60776054
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：31（萬元）
項目摘要
非揮發鐵電薄膜存儲器件具有讀寫操作速度快和電壓低等優點得到了廣泛的關注。常用電荷積分的識別方法會隨著器件存儲密度的提高而引起信號識別困難。採用鐵電場效應管(FeFET)的讀寫方式不僅可以克服該缺點，且信號的讀取是非破壞性的，提高了器件的使用壽命。但是這種器件的缺點是信息保持時間短，成為技術發展上的一個頸瓶。究其機理是由於在矽襯底和鐵電薄模之間生長的絕緣層太薄（～幾個納米），導致了存儲電荷發生泄漏現象。如果該層太厚，又會導致在正常寫電壓下電疇翻轉的困難。針對這對矛盾，我們提出用反鐵電材料部分或完全替代該絕緣層，通過鐵電和反鐵電二者膜厚比的調節，保證在外加寫電壓之後反鐵電體仍維持在鐵電態，從而產生一個可以調節半導體內溝道電流的電勢。由於反鐵電體和鐵電體的飽和極化強度基本相當，反鐵電層膜厚可以增大，減小了漏電流，信息保持時間得以延長，同時又可以保證在正常的寫電壓下電疇的完全翻轉。
