《連續工作體制高抗損傷超窄帶截止薄膜技術研究》是依託同濟大學，由張錦龍擔任項目負責人的聯合基金項目。
基本介紹
- 中文名：連續工作體制高抗損傷超窄帶截止薄膜技術研究
- 項目類別：聯合基金項目
- 項目負責人：張錦龍
- 依託單位：同濟大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
高功率、高亮度半導體雷射技術對經濟、科技和國防發展具有重要意義，高損傷超窄帶截止濾光薄膜是半導體雷射合束技術的核心元件，如何控制連續雷射作用下超窄帶截止薄膜的光學性能失效和損傷是當前半導體雷射和薄膜光學領域的熱點和難點。當前國內外在這方面研究極少，阻礙了半導體雷射輸出性能的進一步提高。本項目在已有的雷射薄膜製備技術和損傷機理研究基礎上，對國內外雷射系統中套用的超窄帶截止薄膜方面取得的主要進展和尚需解決的主要問題進行了細緻的梳理和分析，提出了以電場誘導超窄帶截止薄膜失效、損傷的物理機制為基礎，突破薄膜設計、製備及雷射損傷評價技術的研究思路，探尋電場分布最佳化、高陡直度的截止濾光薄膜結構，研究高精度、缺陷可調控的最優薄膜製備技術，建立薄膜損傷性能評價規範與檢測方法。本項目的開展將彌補國內外該研究領域的不足，實現高損傷超窄帶截止薄膜的研製，為固體和光纖雷射器技術向更高水平發展提供關鍵技術支撐。
結題摘要
高功率、高亮度半導體雷射技術對經濟、科技和國防發展具有重要意義，高損傷超窄帶截止濾光薄膜是半導體雷射合束技術的核心元件，如何控制連續雷射作用下超窄帶截止 薄膜的光學性能失效和損傷是當前半導體雷射和薄膜光學領域的熱點和難點。當前國內外 在這方面研究極少，阻礙了半導體雷射輸出性能的進一步提高。本項目在已有的雷射薄膜製備技術和損傷機理研究基礎上，提出了以電場誘導超窄帶截止薄膜失效、損傷的物理機制為基礎，突破薄膜設計、製備及雷射損傷評價技術的研究思路，取得了以下成果：分析不同薄膜結構，獲得了電場分布最佳化、考慮薄膜誤差的超窄帶截止濾光薄膜結構；最佳化膜厚監控方式、全流程製備工藝，突破了高精度、缺陷可調控的最優薄膜製備技術；建立了連續雷射作用薄膜損傷性能測試平台和方法，明確了超窄帶截止薄膜的損傷機制。成功研製出高損傷超窄帶截止薄膜，截止寬度小於4nm，972nm（45 入射）反射率高於95%，976nm（45入射）透射率高於92%，連續抗雷射損傷閾值LIDT＞5MW/cm2。項目發表SCI論文6篇，申請發明專利3項，2項已獲授權，成果獲教育部科技進步獎二等獎1項，近3年來在光學薄膜方面的國際會議上做邀請報告1次，口頭報告1次，培養2名研究生。本項目的開展彌補了國內外該研究領域的不足，實現高損傷超窄帶截止薄膜的研製，為固體和光纖雷射器技術向更高水平發展提供關鍵技術支撐。
