《分立能級結構對單電子輸運性質影響的研究》是依託中國科學技術大學，由王兵擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：分立能級結構對單電子輸運性質影響的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王兵
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：10374083
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：30（萬元）
中文摘要
極小尺寸的金屬、半導體量子點和單分子是室溫條件下工作的量子電子學器件的核心部分。由於量子限域效應，它們的分立能級間距可以達到與充電能相比擬的大小，因而影響到電子的輸運過程。單電子隧穿譜(SETS)是最近十來年才發展起來，成為凝聚態物理中研究單個納米量子點能級結構的重要方法。我們利用掃描隧道顯微術和製備納米電極，通過單電子隧穿譜(SETS)方法，研究極小尺寸的金屬、半導體和單分子的分立能級結構對單電子輸運過程的影響；結合理論分析，研究並比較不同能級結構在單電子隧穿譜中的特徵；通過光照射條件下的測量，研究激發態能級及電子馳豫過程對單電子輸運的影響，分析平衡態和非平衡態隧穿過程中分立能級的作用；外加磁場條件下，分立的自旋軌道能級對單電子輸運過程的影響。認識並理解分立能級對單電子輸運過程的影響，將有助於人們對室溫量子電子學器件的研究。
