分子束外延生長系統是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2016年2月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:分子束外延生長系統
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2016年2月1日
分子束外延生長系統是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2016年2月1日啟用。
分子束外延生長系統是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2016年2月1日啟用。技術指標真空度:10e-8mbar。1主要功能分子束外延生長系統。1...
氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月31日啟用。技術指標 超高真空:10-9 torr;多個穩定可控蒸發源;樣品台溫度800℃;束流測試精度優於0.01A/s。主要功能 外延生長高...
程控多源變溫分子束外延生長系統 程控多源變溫分子束外延生長系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月25日啟用。技術指標 6個蒸發源/-100~1100℃/STM。主要功能 用於外延生長薄膜樣品。
超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2008年8月1日啟用。技術指標 本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量:6個 熱蒸發源數量:5個 樣品架變溫範圍:-200~1000攝氏度。主要功能 主要用於薄膜...
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
分子束外延生長的原理及特點 分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取多元半導體...
分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體,最近正轉向針對Si半導體器件...
超高真空分子束外延和線性傳輸系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月15日啟用。技術指標 超高真空至2*10-10mbar,樣品台溫度控制精度在0.1oC,束流控制精度在0.01埃/s。主要功能 分子束外延法生長薄膜半導體材料設備。
ZnO材料基本性質研究和材料生長動力學分析變得更加重要和緊迫,但當前ZnO生長動力學的原位分析不足且精細程度不高。本項目將採用分子束外延生長(MBE)和掃描探針(SPM)聯合系統,研究矽(Si)襯底上ZnO的MBE生長動力學。通過最佳化生長條件和材料...
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣,可...
本項目計畫搭建一套分子束外延生長系統和原位精密樣品調控系統,並與最新一代的角分辨光電子能譜系統相結合。這套系統將重心放在實時調控和實時測量的能力上,這對FeSe薄膜材料的研究至關重要。我們將利用這套平台,深入和系統的研究FeSe...