位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,內部位錯線恢復原狀,在外力作用下,不斷產生新位錯環,因而得到很大的滑移量。
基本介紹
- 中文名:位錯線
- 外文名:dislocationalline
- 釋義:晶體或晶格內滑移面上已滑動區
- 原理:Frank Read源的原理
- 學科:冶金工程
- 領域:冶煉
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,內部位錯線恢復原狀,在外力作用下,不斷產生新位錯環,因而得到很大的滑移量。
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,...
由於位錯具有應變能,所以位錯線有儘量縮短長度或自動變直的趨勢,這表明存在一個沿著位錯線作用的力,此力即位錯的線張力。...
中文名稱:位錯 英文名稱:dislocation 定義:晶體中的一類典型的線缺陷,沿位錯線近旁甚小的區域內發生了嚴重的原子錯排。其基本類型為刃型位錯和螺型位錯。 套用...
撓性位錯最初為解釋晶體的塑性變形而提出的一種原子排列缺陷模型.晶體滑移時,已滑移部分與未滑移部分在滑移面上的分界,稱為"位錯".它是一種"線缺陷"...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。位錯理論認為,晶體實際滑移過程並不是滑移面兩邊的所有原子...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。...... 螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。學科:構造地質學詞目:螺旋位錯英文:screw dislocation...
位錯增殖是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。位錯...
位錯滑移指在外力作用下,位錯線在期滑移面(即位錯線與伯氏矢量b構成的晶面)上的運動,結果導致晶體永久變形。...
分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(...
螺型位錯(screw dislocation)又稱螺旋位錯(Burgers dislocation)。一個晶體的某一部分相對於其餘部分發生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面...
《晶體中的位錯(重排本)》是2014年出版的圖書,作者是錢臨照。...... 3.12 位錯的攀移3.13 具有割階的位錯線的滑移運動第四章 不全位錯4.1 引言...
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 總論(三級學科) ...... 定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 材料科...
位錯滑移(dislocation glide)是指位錯在晶體內沿滑移面的運動。在剪應力作用下,原子發生位錯是在包含其伯格斯矢量的平面上運動,稱為位錯滑移。其運動方式類似蠕蟲...
位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種...
位錯能量是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
位錯應變能是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
如同位錯用位錯線和Burgers矢量來表征那樣,層錯的幾何特徵可以用層錯面和非點陣平移矢量R來表征。2 堆垛層錯和堆垛層錯能 正常堆垛順序為ABCABC…,以Frank記號...
線缺陷是指在工程材料學中二維尺度很小而第三維尺度很大的缺陷。其特徵是兩個方向尺寸上很小另外兩個方向延伸較長,也稱一維缺陷,集中表現形式是位錯,由晶體中原子...
利用拓撲流及其分歧理論,研究了Gauaa-Bonnet-Chern定理、磁單極、固體位錯和旋錯以及液晶中向錯線和向錯點等各種拓撲缺陷的拓撲結構和分歧理論,指出Euler示性數在...