位錯增殖是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。位錯概念最初是在研究晶體的強度和范性時提出,後來引入到礦物學中。作為地球上各種物質運動的基本單位,礦物會“記錄”某些地質事件,位錯就是“記錄”到的信息之一。
基本介紹
- 中文名:位錯增殖
- 外文名:Dislocation multiplication
- 學科:冶金工程
- 領域:冶煉
- 釋義:晶體中的位錯在運動中不斷增大
- 礦物學:位錯概念
位錯增殖是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。位錯概念最初是在研究晶體的強度和范性時提出,後來引入到礦物學中。作為地球上各種物質運動的基本單位,礦物會“記錄”某些地質事件,位錯就是“記錄”到的信息之一。
位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。信息介紹 弗蘭克-里德位錯源是若某滑移面有一段刃型位錯AB,兩端被位錯網節點釘住不能運動。在沿其垂直線方向外加剪下...
位錯的增殖機制主要有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Readsource)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。位錯 位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。簡介 位錯的產生可分為兩大類:增殖與成核。當晶體中無位錯源時,新位錯的產生必須靠成核。...
金屬塑性變形過程中,位錯群不斷增殖,它們雜亂分布,像森林一般,稱為位錯林。位錯滑動過程中遇到位錯林,產生割階,形成位錯鎖,在位錯林斥力作用下,使滑動位錯彎曲。隨著位錯林的不斷稠密,位錯問的距離不斷減小,滑動位錯的曲率半徑...
2.9 刃型位錯的運動 2.10 螺型位錯 2.11 混合位錯 2.12 螺型位錯及混合位錯的運動 2.13 位錯運動的基本性質 2.14 滑移與巨觀應變 第三章 位錯的增殖與位錯割階的運動 3.1 引論 3.2 Frank的動力學增殖機制 3.3 Frank-...
位錯環是一種晶體內線缺陷,但並不是由單一的螺型位錯或刃型位錯構成,而是一種由於位錯運動而產生的環狀位錯。常見的位錯環有兩種,一種是由於弗蘭克-瑞德位錯增殖機制而產生的位錯環;另一種是由於位錯繞過第二相粒子時產生的位錯環。
本項目創新地將選擇性外延套用於限制和過濾穿透位錯,並與位錯機理研究、外延層結構設計、過渡層控制有機結合起來,從幾個方面解決位錯增殖問題,實現位錯的綜合控制。它的實施將為開發新型異質結構材料提供理論與實驗的指導,為發展超高速...
不同滑移系統增殖的位錯可以起到障礙作用。假定阻礙位錯滑移運動的主要是與主滑移系統相交的次滑移系統上的位錯(稱為林位錯)。當滑移位錯與林位錯相交後可能引起割階或反應形成新的位錯或繞過林位錯增長了位錯線。不管哪種情況都需要...
在變形時,位錯源增殖的位錯可能在這些障礙前形成位錯塞積群。緊挨障礙物的那個位錯就被稱為領頭位錯或領先位錯,塞積的位錯數目越多,領頭位錯對障礙物的作用力就越大,達到一定程度時,就會引起鄰近晶粒的位錯源開動,進而發生塑性變形...
當變形進入第Ⅱ階段的時候,位錯密度增大到中等程度,並且逐步形成一種準均勻分布狀態,即比較密集的大量位錯相互纏結構成胞壁,把晶體分割成為內部位錯密度相對稀疏的胞狀組織。在整個第Ⅱ階段,隨應變數的增大,位錯繼續增殖和運動,胞內...
3.6 位錯增殖與塞積 3.6.1 位錯增殖 3.6.2 位錯塞積群 3.7 實際晶體結構中的位錯 3.7.1 全位錯 3.7.2 不全位錯 3.7.3 面心立方金屬堆垛層錯的類型 3.7.4 體心立方金屬中的位錯結構 3.7.5 有序合金中的...
提高獷需較高的應力,得到較高的上屈服點,一旦塑性變形產生,由於位錯的增殖使位錯密度增加,相‘應的速率要下降,而對應的應力也會突然下降到下屈服點。體心立方點陣金屬的耐值較低(屏100~200)故屈服現象不明顯。屈服條件 yield...
按照位錯理論,晶體的範性形變乃是位錯增殖和運動的結果。由於位錯直接觀測技術的發展,關於存在於晶體中的位錯組態已有了相當詳盡的了解。以這些實驗為基礎,對於晶體的屈服和加工硬化現象已經建立了一些理論,基本上可以解釋觀測到的實驗現象...
計算線壓縮係數影響屈服強度的因素 金屬材料一般是多晶合金,因此討論其屈服強度影響因素時應考慮以下幾點:1、位錯增殖與運動。2、 晶界第二相、間隙作用。3、外因時通過影響位錯來影響取強度。具體影響因素分為內因和外因。
他在位錯理論中也有多方面的貢獻,提出用參考晶體和實際晶體中對應迴路法來定義位錯,並對位錯增殖、不全位錯,運動位錯和位錯網路等理論都有所發展。另外,對液晶的彈性理論和高分子結晶理論所做的工作,使他成為這一領域的先驅者;他...
主要內容包括原子結構與結合鍵、晶體結構、非晶體和準晶體結構、晶體缺陷、位錯基礎、材料的變形、回復再結晶、二元相圖、三元相圖、材料的凝固、固態擴散等。成書過程 修訂情況 該教材是在大連理工大學出版社2015年出版的趙傑主編《材料科學...
計算結果表明,隨著晶粒尺寸減小,位錯增殖困難,屈服應力大大增加。 (4)通過研究體心立方(BCC)晶體的位錯演化機制,建立了關於RPV鋼的基於位錯密度的晶體塑性模型,進行了數值實現,編寫了UMAT子程式;在此基礎上,建立了RPV鋼考慮輻照...
重 點:位錯基本概念和類型,位錯的應力場,位錯間的互動作用,位錯的起源與增殖、位錯的塞積、位錯的交割、位錯反應。實際晶體中的位錯;有序結構中的位錯;離子晶體的位錯;面心立方晶體的位錯反應。晶界結構與性質,相界結構與性質,...