《矽基鍺薄膜選擇性外延及其位錯控制》是依託清華大學，由王敬擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽基鍺薄膜選擇性外延及其位錯控制
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：王敬
- 項目類別：面上項目
- 批准號：60976007
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2010-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
新型Si基Ge薄膜材料被列為下一代超高速積體電路的溝道解決方案之一，是當前半導體材料領域的研究熱點。由於點陣常數的明顯差異，Si上異質外延高質量Ge薄膜存在巨大的技術挑戰，其中關鍵的科學問題是失配位錯產生與控制。本項目將重點研究Si基Ge薄膜的選擇性外延技術及位錯的形成和控制，探索新的位錯控制思路和技術。研究內容包括：(1) 高質量超薄弛豫SiGe過渡層製備技術；(2) Ge和SiGe薄膜的選擇性外延機制、外延生長模式與選擇性外延工藝；(3) 位錯成核與增殖機理，位錯分布、走向及其控制；(4) Ge薄膜熱穩定性。本項目創新地將選擇性外延套用於限制和過濾穿透位錯，並與位錯機理研究、外延層結構設計、過渡層控制有機結合起來，從幾個方面解決位錯增殖問題，實現位錯的綜合控制。它的實施將為開發新型異質結構材料提供理論與實驗的指導，為發展超高速積體電路奠定材料基礎。
