中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室

本實驗室長期從事半導體光電子器件研究，在我國率先實現量子阱雷射器的突破，又針對不同套用目標，開拓了不同材料系、不同發射波長的量子阱雷射器。先後獲得中國科學院科技進步一等獎三項，國家科技進步獎三等獎二項，國家科技進步獎二等獎二項。

基本介紹

• 中文名：中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室
• 機構類別：實驗室
• 機構地點：北京市
• 主要獎項：中國科學院科技進步一等獎

套用領域

隨著光電子器件往更小尺度、更低維方向發展，成為納米量子光電子結構，呈現出物理內涵十分豐富的新量子現象和效應，可被用來研製具有新功能和新原理的光電子器件。本著“創新跨越，持續發展”的原則，本實驗室在以往光電子材料和器件的研究與開發的基礎上，以納米光電子材料和器件為主攻方向，除光通信套用外，特別注意光電子技術在光存儲、光顯示、光信息處理以及雷射生物醫學等領域的套用。

研究方向

主要研究的方向有：

1.低維半導體材料生長及生長動力學研究

2.新型量子阱雷射器

3.不同發射波長垂直腔面發射雷射器

4.GaN基藍光LED與LD

5.低維量子阱、量子線和量子點雷射器與探測器

6.近場光學及近場光源

7.光子晶體材料、物理、器件及基於光子調控的集成技術研究

8.大功率雷射器及其失效機理分析

9.光電子器件關鍵工藝技術研究

基礎建設

本實驗室擁有一支以年輕人為主的五十多人研究隊伍，院士一人，正研四人（百人計畫一人），副研究員五人，中級職稱及技術人員十六人，博士後三人，博士、碩士生三十多人，人才梯隊完善，人員搭配合理。在陳良惠院士領導下，承擔著多項國家“863”、“973”、自然科學基金項目以及中國科學院重大項目。實驗室裝備有分子束外延（MBE）等先進的材料生長、器件工藝和測試分析設備，具有非常豐富的光電子器件的研究開發經驗和能力，同時保持著與國內外一流大學、研究機構和產業界的密切聯繫和合作。實驗室決心通過發展納米光電子科學技術，為促進中國科學院半導體研究所成為在國際上有影響的半導體納米量子材料和器件的科學研究中心、新型器件和新技術的孵化中心、優秀人才的培養中心而努力。