徐仲英(中國科學院半導體研究所研究員)

徐仲英，中國科學院半導體研究所研究員，博士生導師，享受國務院頒發的政府特殊津貼，是國家重大基礎研究項目（攀登計畫）專家組成員、課題組負責人，中國發光學會理事。

基本介紹

• 中文名：徐仲英
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 出生地：勝山鎮
• 出生日期：1942年農曆七月二十九日
• 職業：中國科學院半導體研究所研究員
• 畢業院校：天津大學研究生
• 學術論文：《物理評論》、《套用物理快報》

人物簡介

1942年農曆七月二十九日，徐仲英出生於勝山鎮二灶一個普通農民家庭。1960年考入浙江大學光學儀器工程系。1965年考取天津大學研究生。1970年進入中國科學院，一直在中國科學院半導體研究所工作，先後從事半導體器件套用研究和基礎物理研究。

人物經歷

1982年，徐仲英遠涉重洋去美國深造。當時正是國際半導體學科發展的重要轉折時期，以分子束外延（MBE）和金屬有機物氣相沉積(MOCVD)為技術手段的高質量光電材料的誕生，特別是量子阱超晶格材料的問世，為這門充滿活力的學科注入了新的生長點，而後來取得的研究成果已成為當今光電子信息產業的重要基礎。這對徐仲英來說，既是機遇又是挑戰。他過去學的是光學工程，而現在要搞半導體物理，困難可想而知。但他以極大的毅力和決心全身心地投入研究，並取得了優異的成績。在美國任訪問學者的兩年時間裡，他先後完成了8篇學術論文，發表在《物理評論》、《套用物理快報》等國際一流刊物上，得到美國導師的高度讚揚，稱他為“第一流的實驗物理學家”。

工作成就

1984年回國後，徐仲英率先在國內開展半導體量子阱超晶格和半導體中超快過程等國際前沿課題的研究，積極推動國內在這一領域的研究工作，並一直處在國內領先地位，在國際上也有一定影響。他和他所在的實驗室1989年發展成為國家重點實驗室（半導體超晶格國家重點實驗室）。在長期的科研工作中，他成果纍纍，獲得多項國家和中國科學院自然科學獎和科技進步獎。其中有關量子點的材料、器件和光學特性方面的研究工作，是國際上在這個自然科學領域中較早的實驗工作之一，被國際同行廣泛引用。該成果與他人合作獲得2000年中國科學院自然科學獎一等獎，2001年度國家自然科學獎二等獎。他和他主持的課題組多年來承擔多項國家重大項目，包括“八五”、“九五”國家攀登計畫和“973”計畫。並先後支持7項國家自然科學基金項目及一項國家重點基金課題，在國內外核心刊物發表文章120餘篇，同時培養了一批精於學業、訓練有素的碩士和博士。徐仲英與國際同行有廣泛的學術交流，多次應邀出國講學、出席國際學術會議或進行合作研究，先後訪問過美國、英國、法國、德國、瑞典、澳大利亞。他還兼任香港科技大學物理系客座教授。