| 中文名稱 | Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料 |
| 英文名稱 | Ⅱ-Ⅵcompound semiconductor |
| 定 義 | 由元素周期表ⅡB族和ⅥA族元素組成的一類半導體材料。如ZnS、CdTe等。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料 |
| 英文名稱 | Ⅱ-Ⅵcompound semiconductor |
| 定 義 | 由元素周期表ⅡB族和ⅥA族元素組成的一類半導體材料。如ZnS、CdTe等。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
中文名稱 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料 英文名稱 Ⅱ-Ⅵcompound semiconductor 定義 由元素周期表ⅡB族和ⅥA族元素組成的一類半導體材料。如ZnS、CdTe等。 套用學科...
化合物半導體材料種類繁多,性質各異,如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料,Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料,...
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,由元素周期表ⅢA族和ⅤA族元素組成的一類半導體材料。如GaAs、GaP等。...
Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料的主要套用學科為材料科學技術,是由ⅣA族元素組成的一類材料。...
三元化合物半導體材料是指由三種已確定的原子配比形成的化合物,並具有確定的禁帶...化合物半導體主要是二元化合物半導體如Ⅲ—Ⅳ族、Ⅱ—Ⅵ族等。隨著電光半導體...
大規模積體電路的製造都是以矽單晶材料為主的,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體如砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等也越來越受到人們的重視,特別是砷化鎵具有矽、鍺所不具備的能在高...
Ⅴ族化合物半導體;第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長;第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體;第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體;第10章為氧化物半導體材料;第11章為...
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體...③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些...
《IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性》作者是Sadao Adachi,譯者是季振國。...... 但是III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料因具有高的載流子遷移率和大...
III-V族化合物,是元素周期表中III族的B,Al,Ga,In和V族的N,P,As,Sb形成的化合物,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵等。...
以化合物半導體為基體製成的太陽能電池。在種類繁多的化合物半導體材料中, 不乏...(InP);Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體,如硫化鎘 (CdS)、硒化鎘 (CdSe)、碲化鎘 (...
1971-1980年,他負責設計、建成了低溫電學測量和光致發光實驗系統,並對GaAs和其它III-V族化合物半導體材料的電學、光學性質進行了研究。其中,體GaAs熱學和強場性質...
碳化矽半導體材料特性 編輯 碳化矽半導體材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 屬W族化合物半導體。為共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。密度.i ....
中用單獨的一章介紹了如何通過金屬有機物化學氣相沉積來製備化合物半導體材料薄膜...3.6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶的製備 (47)3.6.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體單晶...
製作光電二極體的材料有元素半導體Si、Ge及Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體GaAs、InAs、InSb、InS、InGaAs、InGaAsP、PbSnTe、PbSnSe、HgCdTe等。對光電探測器件的...
半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和矽是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物:砷化鎵、磷化鎵等;Ⅱ-Ⅵ族化合物:...
半導體感測器(semiconductor transducer)是指利用半導體材料的各種物理、化學和生物學特性製成的感測器。所採用的半導體材料多數是矽以及Ⅲ-Ⅴ族和 Ⅱ-Ⅵ族元素化合物...
碲化鎘化學式為CdTe,分子量240.00,是一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料。...... 碲化鎘化學式為CdTe,分子量240.00,是一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料...
“Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體多晶薄膜太陽電池的研製”,教授採用近空間升華技術研究碲...碲化鎘薄膜太陽能電池在生產成本大大低於晶體矽和其他材料的太陽能電池技術,其次...
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱...