schottky即肖特基二極體,是廣泛套用于于開關電源的產品。
基本介紹
- 中文名:肖特基二極體
- 外文名:schottky
- 別名:也稱肖特基勢壘二極體
- 簡稱:SBD
- 廣泛套用:於開關電源
schottky即肖特基二極體,是廣泛套用于于開關電源的產品。
schottky即肖特基二極體,是廣泛套用于于開關電源的產品。...... 1.肖特基二極體的作用 肖特基(Schottky)二極體也稱肖特基勢壘二極體(簡稱SBD),它是一種低功耗、超高速...
Mott-Schottky equation (莫特-肖特基方程)是一個數學方程,該方程描述了半導體的空間電荷層微分電容Csc與半導體表面對於本體的電勢△φ的關係。...
Schottky勢壘,即肖特基勢壘(Schottky Barrier),是指具有整流特性的金屬-半導體接觸,即具有大的勢壘高度,以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸,就...
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肖脫基缺陷(Schottky defect):當某些原子獲得足夠高的能量時,就可以克服周圍的束縛,離開原來的平衡位置,肖脫基缺陷(肖脫基空位)即晶體結構中的一種因原子或離子離開...
15.肖特基二極體 (Schottky Barrier Diode)二極體電路 它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以採用金、鉬、鎳...
華特‧肖特基(Walter Hermann Schottky,1886年7月23日—1976年3月4日)是一位德國物理學家。在早期的電子與離子發射現象的理論發展上有重要角色,並於1915年...
肖特基定理是關於全純函式的重要定理,首先由肖特基(Schottky,F.H.)(1904)所證明。...... 肖特基定理是關於全純函式的重要定理,首先由肖特基(Schottky,F.H.)(1904...
肖特基缺陷(Schottkydefect)是一種化合物半導體中的點缺陷。在化合物MX中,在T>0K時,由於晶格熱振動,能量大的原子離開原格點進入晶格間隙或進入表面,或蒸發到外界...
肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極體(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結...