X射線干涉光刻線站是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2010年1月10日啟用。
基本介紹
- 中文名：X射線干涉光刻線站
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、化學、材料科學、能源科學技術
- 啟用日期：2010年1月10日
- 所屬類別：分析儀器 > X射線儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
能量範圍 192 - 2182 eV 250-2000eV(常用最佳化範圍) 能量分辨 17900@244eV 2460@1840eV 樣品處光通量 2.2x108phs/s@ 200mA 2.67x108phs/s@ 200mA 樣品處光斑尺寸 50-150nm。
主要功能
點譜掃描：得到樣品特定區域的元素近邊吸收譜。 雙能襯度成像法：可半定量地得到樣品中該元素的二維空間分布信息及元素含量。 能量堆疊法：得到樣品中含有該元素的若干種化學成分的信息，包括各成分的近邊吸收譜，以及各成分在二維空間上的分布情況。 全電子產額法(TEY)：是測量X射線近邊吸收譜的實驗方法，側重於樣品界面的元素信息。 Nano-3D-CT: 元素識別+三維結構。
