SOI材料是新型矽基積體電路材料的簡稱。
基本介紹
- 中文名：SOI材料
- 外文名：Silicon-on-insulator
- 適應：航空航天電子
- 特點：低功耗
功能,介紹,
功能
這類材料是為了適應航空航天電子、飛彈等武器系統的控制和衛星電子系統的需求而發展起來的。SOI材料具有以下突出優點：1、低功耗；2、低開啟電壓；3、高速；4、提高集成度；5、與現有積體電路完全兼容且減少工藝程式；6、耐高溫；7、抗輻照從而減少軟體誤差。這些優點使得SOI技術在絕大多數矽基積體電路方面具有極其廣泛的套用背景，從而受到世界各大積體電路製造商和各國政府的高度重視，被國際上公認為“21世紀的矽基積體電路技術”。
介紹
SOI是“Silicon-on-insulator”的簡稱，中文譯為“絕緣體上的矽”。國際上公認，SOI是21世紀的微電子新技術之一和新一代的矽基材料，無論在低壓、低功耗電路、耐高溫電路、微機械感測器、光電集成等方面，都具有重要套用。
上世紀90年代末，IBM大規模開展SOI技術的民用化，SOI被廣泛用於超速計算機伺服器中，同時帶動國際上一批著名的跨國公司進入這項技術的開發。目前SOI技術已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約占整個半導體材料市場的30%左右，預計到2010年將占到50%左右的市場。Soitec公司（世界最大的SOI生產商）的2000年～2010年SOI市場預測以及2005年各尺寸SOI矽片比重預測了產業的發展前景。
2008年12月，在上海新傲科技有限公司研發平台上，通過技術創新，製備出我國第一片8英寸鍵合SOI晶片，實現了SOI晶片製備技術的重要突破。
SOI絕緣矽英國ICEMOS代理—北京特博萬德公司
英國ICEMOS公司SOI矽片—北京特博萬德公司
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北京特博萬德科技有限公司獨家代理英國ICEMOSTECH的高品質SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。
SOI wafer尺寸: 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）and 8"（200mm）
SOI Spec. 規格：
1- Bonded SOI wafer (絕緣矽上鍵合矽片）
For 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）
---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,
---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,
---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.
For 8"（200mm）
---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,
---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,
---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.
2- Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 矽-矽直接鍵合，可替代外延片
100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.
3- Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),
Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)
and finally Through Silicon Via (TSV)
---- Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer
---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process
---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated
4- SOI + Trench & Refill
Features
Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation
(DI) or junction isolation
Bulk quality top silicon layer
Total device-to-device isolation
Lower substrate capacitance than bulk
Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters
5- Superjunction MOSFET
