本書所收集的納米技術時代的高端矽基SOI材料方面的研究論文共40篇，部分是在國外刊物上發表的論文，其出處都已標明著作權所有的學術期刊。書中主要包括以下幾部分：SOI納米技術時代的高端矽基材料進展；SOI新材料的製備科學；SOI材料與器件特有的物理效應；SGOI新結構和應變矽的製備科學；SOI技術的若干套用研究。可供各大專院校作為教材使用，也可供從事相關工作的人員作為參考用書使用。
基本介紹
- 書名：SOI：納米技術時代的高端矽基材料
- 作者：林成魯
- ISBN：9787312022333
- 出版時間：2009-06-01
內容簡介,出版信息,目錄,
內容簡介
絕緣體上矽(silicononinsulator，SOI)技術在高速、低壓低功耗電路、高壓電路、抗輻射、耐高溫電路、微機械感測器、光電集成等方面具有重要套用，是微電子和光電子領域發展的前沿，被國際上公認為“二十一世紀的矽積體電路技術”。本書收集的納米技術時代的高端矽基SOI材料方面的研究論文40篇，主要內容包括：SOI納米技術時代的高端矽基材料進展，SOI新材料的製備科學，SOI材料與器件特有的物理效應，絕緣體上鍺矽(silicongermaniumoninsulator，SGOI)新結構和應變矽的製備科學，SOI技術的若干套用研究等。書中包含了高端矽基材料前沿領域的多方面創新研究成果。
本書可作為微電子、光電子、微機械、半導體材料、納米材料等專業的大專院校師生和專業技術人員重要的參考書，也可以作為信息領域其他專業的師生、科研人員和工程技術人員參考資料。
出版信息
出 版 社：科技大學
版 次：初版
開 本：16開
包 張：平裝
目錄
SOI納米技術時代的高端矽基材料進展
納米技術時代的高端矽基材料SOI、sSOI和GOI
SOI技術的發展動態
矽基光電子材料和器件的進展和發展趨勢
FabricationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrainedSi
OverviewofSOImaterialstechnologyinChina
SOI新材料的製備科學
以注氧隔離(SIMOX)技術製備高阻SOI材料
矽中注H+引起的缺陷和應力以及剝離的機制
以AlN為絕緣埋層的新結構SOAN材料
多孔矽外延層轉移技術製備SOI材料
ELTRAN技術製備雙埋層SOIM新結構
SOI新結構SOI研究的新動向
Fabricationofsilicon．on．AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization.
BuriedtungstensilicidelayerinsilicononinsulatorsubstratebySmart-cut
Voidfreelow-temperaturesilicondirectbondingtechniqueusingplasmaactivation
MicrostructureandcrystallinityofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon
Formationofsilicon-on-diamondbydirectbondingofplasma-synthesizeddiamond-likecarbontosilicon
Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyplasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator
StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer
SOI材料與器件特有的物理效應
S0IMOSFET浮體效應研究
SOIMOSFET的自加熱效應研究
S0I器件的輻射效應及其在抗輻射電子學方面的套用進展
EvolutionofhydrogenandheliumCO-implantedsingle-crystalsiliconduringannealing
ComparisonbetweenthedifferentimplantationordersinH+andHe+co-implantation
ComparisonofCugetteringtoH~andHe+implantation-inducedcavitiesinseparation-by-implantation-of-oxygenwafers
GetteringofCubymicrocavitiesinbonded/ion-cutsilicon-on-insulatorandseparationbyimplantationofoxygen
SGOI新結構和應變矽的製備科學
SIMOX技術製備SGOI新結構的研究
改良型Ge濃縮技術製備SGOI及應變Si研究
Relaxedsilicon-germanium-on-insulatorsubstratesbyoxygenimplantationintopseudomorphicsilicongermanium/siliconheterostructure
GermaniummovementmechanisminSiGe-on-insulatorfabricatedbymodifiedGecondensation
InvestigationofrelaxedSiGeoninsulatorandstrainedSi
SOI技術的若干套用研究
納米MOSFET/SOI器件新結構
SOI襯底上的無源器件研究
SGOI襯底上高k柵介質的研究
Highfrequencycapacitance-voltagecharacterizationofA1203/ZrO2/A1203infullydepletedsilicon-on,insulatormetal-oxide-semiconductorcapacitors
Numericalstudyofself-heatingeffectsofMOSFETsfabricatedonSOANsubstrate
Sil-xGex/Siresonant-cavity-enhancedphotodetectorswithasilicon-on-oxidereflectoroperatingnear1.3μm
Totaldoserad-hardimprovementforsilicon-on-insulatormaterialsbymodifyingtheburiedoxidewithionimplantation
InvestigationofH+andB+/H+implantationinLiTaO3single-crystals
InvestigationofSO1substratesincorporatedwithburiedMoSi2forhighfrequencySiGeHBTs
