2SC3356-R25矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體,因為該型號放大倍數為125-250檔的命名為R25，並且塑封體本體上印字為R25，所以簡稱為R25三極體。
基本介紹
- 中文名：R25三極體
- 全稱：矽超高頻低噪聲功率管
- 基於：N型外延層的電晶體,
- 放大倍數：125-250檔
簡介,性能參數,
簡介
該三極體具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片原產於NEC公司，現在國內也有生產。北京鼎霖電子在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻微波三極體，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。
性能參數
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大係數hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特徵頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA
集電極允許電流IC：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）
插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪聲係數NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：矽(Si)
封裝材料：塑膠封裝
