MOS級

MOS級化學試劑是“金屬-氧化物-半導體”(Metal-oxide-semiconductor)電路專用的特純試劑的簡稱，是為適應大規模積體電路(LSI)的生產而出現的一個新的試劑門類。

基本介紹

• 中文名：“金屬-氧化物-半導體
• 英文名：Metal-oxide-semiconductor
• 套用：金屬氧化物半導體電路專用
• 危險性描述：低

概念

MOS級化學試劑是“金屬-氧化物-半導體”(Metal-oxide-semiconductor)電路專用的特純試劑的簡稱，是為適應大規模積體電路(LSI)的生產而出現的一個新的試劑門類。

定義

它屬於生產金屬氧化物半導體電路專用的化學品，是一種高純試劑。其純度要求單項金屬離子雜質含 量均在10-7%~10-9%範圍內。而更重要的是控制產品內微粒雜質（即塵埃和不溶顆粒）的個數，應當符合美國材料試驗學會（ASTM）“0”級標準，即對5~10微米大小的顆粒，每100毫升中最大允許在2700個以下，而對5微米大小的顆粒，要求在304個以下。

用途

MOS試劑主要用於大規模、超大規模積體電路的研究和生產。