MOCVD設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年11月16日啟用。
基本介紹
- 中文名：MOCVD設備
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2012年11月16日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
設備溫度控制範圍100～1200℃，溫度穩定性＜±2℃，溫度均勻性＜±3℃（在1000℃）；升溫速率0.5℃-3℃/s連續可調；壓力控制範圍20-760Torr連續可調，控制精度為3 Torr（20Torr～760Torr） 襯底轉速在0-1500轉/分鐘連續可調；系統氣密性：管路系統漏氣率＜1×10-9Pa？L/S；反應室漏氣率＜3×10-9Pa？L/S；GaN外延材料生長技術指標：生長速率：1-4um/小時；厚度不均勻性：< ±5%；GaN外延膜背景濃度：< 1×1017/cm3，遷移>350cm2/V.s(2umGaN);雙晶衍射半峰寬<300 弧秒；n型摻雜濃度：>3×1018/cm3；P型摻雜濃度：>3×1017/cm3；AlGaN：Al組分大於20%。
主要功能
用於單爐48片2英寸藍寶石襯底GaN外延層生長設備。
