《MOCVD生長GaN和蘭光LED》是依託北京大學，由張國義擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：MOCVD生長GaN和蘭光LED
- 項目負責人：張國義
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：69476025
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
採用LP-MOCVD方法，在Al2O3襯底上生長了GaN，InGaN，AlGaN，Mg:GaH,Si:GaH以及Zn:GaH，Zn;InGaN單晶薄膜，並對其生長熱力學和動力學過程進行了理論和實驗研究。對樣品的光學、電學、結構缺陷、刻蝕和歐姆接觸等特性進行了研究。在此基礎上，成功地研製出GaN-based 藍光LED。目前樣管的工作電壓為5-10V，工作電流10-20mA，發射波長為425-478nm，光功率為200μW。目前已發表論文15篇（有國家自然科學基金資助標註）。其中，國際學術刊物5篇，國際會議3篇，國內學術刊物7篇，獲得國家發明專利一項。有些結果已達到和接近實際套用和國際水平。各項技術指標均超出了項目計畫任務書的預定指標。目前，正在向產業化方向努力。
