基本介紹
- 外文名：IRL640S
- 功耗：125W
- 柵源電壓：±10V
- 雪崩電壓：10A
- 通態電阻：0.18ohm
基本信息
HEXFET功率場效應管
邏輯電平門驅動
快速開關功能
單脈衝雪崩能量：580mJ
重複雪崩能量：13mJ
通態電阻：0.18ohm
漏源擊穿電壓：200V
柵極門限電壓：1.0~2.0V
柵源漏電流：± 100nA
總跨導：66nC
結溫：－55℃ ～+150℃
封裝：SMD-220
最大功率 ：3.1W
安裝類型 ： 表面貼裝
漏極至源極電壓(Vdss) ：200V
FET 特點 ：邏輯電平門
FET 型 ：N 溝道
封裝/外殼 ：D2Pak，TO-263（2 引線 + 接片）
包裝 ：管件
