III-V族半導體表面和界面的氧化及鈍化研究

《III-V族半導體表面和界面的氧化及鈍化研究》是依託南開大學，由王衛超擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：III-V族半導體表面和界面的氧化及鈍化研究
• 項目類別：青年科學基金項目
• 項目負責人：王衛超
• 依託單位：南開大學

中文摘要

III-V族半導體材料具有比矽材料高5-10倍的電子遷移率，在高速集成電子器件領域有重要的套用前景，III-V族半導體和高介電氧化物界面是整個高速電子器件最核心的部分，對其電子結構和性質的研究是目前凝聚態物理學、材料科學和微電子學等領域的前沿研究方向之一。 本項目擬採用第一性原理計算方法，系統研究III-V族材料表面和界面的原子和電子結構。通過研究III-V族半導體表面氧化過程，深入理解費米能級釘扎機制，探索表面鈍化去除釘扎的方案。在此基礎上，進一步探索界面穩定性能、界面能帶台階、電子態與界面成鍵的關係等，從理論上調節界面成鍵，以最佳化界面性能。本項目的研究為實現III-V族半導體材料在高速電子器件中的實際套用奠定理論基礎。

結題摘要

III-V族半導體和高介電氧化物界面是高速集成電子器件至關重要的組成部分。本項目採用了第一性原理計算方法，系統研究III-V族材料表面和界面的原子和電子結構。通過研究III-V族半導體表面氧化過程，深入理解費米能級釘扎機制，探索表面界面鈍化去除釘扎的方案。在此基礎上，進一步探索了界面穩定性能、界面能帶台階、電子態與界面成鍵的關係等，從理論上調節界面成鍵，以最佳化界面性能。本項目的研究為實現III-V族半導體材料在高速電子器件中的實際套用奠定了理論基礎。基於上述工作，共發表12篇SCI學術論文，包括Applied Physical Letters, ACS Applied Materials & Interfaces, Angewandte Chemie International Edition等。受邀在Engineering第一期做III-V界面研究的綜述。受邀參加國際會議並作報告9個。