《高κ柵介質/III-V族半導體界面元素擴散的表征及鈍化研究》是依託南開大學，由董紅擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：高κ柵介質/III-V族半導體界面元素擴散的表征及鈍化研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：董紅
- 依託單位：南開大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
高電子遷移率的III-V族半導體有望取代矽，作為下一代金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的溝道材料套用於超大規模積體電路上。目前技術上最大的難題之一就是如何提高III-V族半導體與高κ柵介質接觸的界面質量。InP/高κ柵介質界面In元素在退火條件下擴散到柵介質表面，而導致器件電學性能降低。本工作將利用同位素追蹤的方法幫助理解界面元素擴散的機制；對含In的III-V族半導體(InAs, InSb)和 GaP與高κ介質的熱穩定性的對比性研究將總結界面元素擴散的規律；嘗試利用氮氣等離子預處理來抑制界面元素擴散，並研究此鈍化工藝是否能提高電學性能。對III-V/高κ界面的元素擴散研究將對加深理解和改進界面的熱穩定性，並提高基於III-V族半導體器件的運行可靠性，為III-V族半導體在邏輯電路的套用奠定基礎。
結題摘要
高電子遷移率的III-V族半導體有望取代矽，作為下一代金屬氧化物半導體場效應電晶體 （MOSFET）的溝道材料套用於超大規模積體電路上。目前技術上最大的難題之一就是如何提高 III-V族半導體與高κ柵介質接觸的界面質量。InP/高κ柵介質界面In元素在退火條件下擴散 到柵介質表面，而導致器件電學性能降低。本工作將利用同位素追蹤的方法幫助理解界面元素 擴散的機制；對含In的III-V族半導體(InAs, InSb)和 GaP與高κ介質的熱穩定性的對比性研 究將總結界面元素擴散的規律；嘗試利用氮氣等離子預處理來抑制界面元素擴散，並研究此鈍 化工藝是否能提高電學性能。對III-V/高κ界面的元素擴散研究將對加深理解和改進界面的熱 穩定性，並提高基於III-V族半導體器件的運行可靠性，為III-V族半導體在邏輯電路的套用奠 定基礎。
