目前採用HT-CVD 技術生產的硬質塗層材料主要有:TiC、TiN、TiCN、Cr7C3、TiBN、Al2O3 等單塗層和它們的複合塗層材料。高溫化學氣相沉積工藝過程包括工件沉積前處理(工件清洗、強化處理等)、裝爐、檢漏、加熱升溫、沉積、冷卻、檢查和包裝等。
在整個沉積工藝過程中，要嚴格控制各加熱溫度和各種氣體流量。特別對CH4，TiCl4等反應氣體通人時間和流量，更需按工藝要求控制到位，否則對塗層質量會有很大影響。
沉積工藝舉例如下
TiC 塗層
沉積溫度:1000~1050℃
沉積室壓力: (1~2)×104Pa
沉積時間:60~ 180min
各反應氣體流量: 主H2 7000~ 12000SCCM；CH4 4000-~8000SCCM (SCCM 即cm3/min)；TiCl: 加熱溫度45~65℃；載氣H2 4000~6000SCCM
TiN 塗層
沉積溫度: 950~1000℃
沉積室壓力: (1~2)X104Pa
沉積時間:60~ 180min
各反應氣體流量:主H2 8000~13000SCCM；N2 6000~ 10000SCCM；TiCl ;加熱溫度45~65℃；載氣H2 5000 9000SCCM
