這是半絕緣體GaAs中容易出現的一種缺陷中心。它實際上就是取代了晶格中As原子的氧原子，這是一種點缺陷，具有施主型的深能級；這種氧原子也可以與其他點缺陷構成複合的點缺陷，都起著施主作用。它將使p型GaAs的電阻率增大。為了減小ELO中心，需要注意除去GaAs中的氧。另外，ELO中心也具有一定的用處：在摻Cr的GaAs中，為了避免摻Cr帶來的不良影響，也可以適當地摻O，以形成一些ELO中心來補償Cr的不良影響——既摻Cr、又摻O的所謂雙摻雜技術。
