E-M模型(Ebers-Moll model) 是用來概括BJT的電學特性的一種模型（或者等效電路）。理想BJT的E-M模型，是一種非線性直流模型（記為EM1模型），對直流分析很有用處。
基本介紹
- 中文名：E-M模型
- 外文名：Ebers-Moll model
- 用來概括：BJT的電學特性的一種模型
- 理想模型：是一種非線性直流模型
用途,模型描述,模型優點,
用途
如果再計入非線性電荷存儲效應和串聯電阻，則記為EM2模型，該模型在積體電路分析設計等許多場合經常使用（因為模擬精度高、建模簡易、快速、結果易理解等）。進一步，若再計入BJT的各種二級效應（如基區寬度調製效應、基區展寬效應、溫度的影響等），則得到EM3模型。EM3模型與所謂G-P模型（Gummel-Poon model）是等價的，模擬精度很高，但較為複雜，故這種模型只有在要求較高精度時才使用。
模型描述
對於理想BJT（本徵電晶體）的EM1模型，實際上是基於正向和反向工作的兩個BJT的疊加、並分別用兩個p-n結二極體來代表發射結和集電結這樣一種概念而建立起來的，即是採用兩個二極體（正偏二極體的電流為If，反偏二極體的電流為Ir）和兩個電流源（αfIf和αrIr）來表示一個理想的BJT（αf和αr分別是正向和反向電流增益），這就可給出基本E-M模型的直流大信號等效電路。
E-M方程是根據器件的基本物理特性而建立起來的，其中含有四個模型參量，但實際上只有三個是獨立的參量，並且這些參量都可以與器件的材料、工藝和結構參數聯繫起來。然而，E-M方程也可以看成是經驗的關係式，其中的參量可以通過與實驗數據相比較來求得。E-M方程適用於BJT的各種工作狀態。
對於實際的BJT，在本徵電晶體模型的基礎上，還需要考慮其他一些因素的影響。實際BJT的直流大信號E-M模型需要加上與各個電極相應的串聯電阻。而實際BJT的交流大信號E-M模型還進一步增添了兩個結的耗盡層電容（CE，CC）和表征Early效應的電流源（電流等於VECIC/VA）。
模型優點
E-M模型具有以下一些優點：
①模型參數能較好地反映電晶體的物理本質；
②能把器件的電學特性與工藝參數聯繫起來；
③模型中的參數容易測量；
④該模型屬於直流大信號模型，它不僅可用於BJT，而且也可用於p-n-p-n等結構較為複雜的器件；
⑤該模型雖然屬於直流大信號模型，但若在電路分析程式（SPICE或PSPICE）中，再加入各種電容之後，即不僅可用於直流分析，而且也可用於瞬態分析。
