基本介紹
- 中文名：雙倍速率同步動態隨機存儲器
- 外文名：DDR SDRAM
- 英文全稱：Double Data Rate
簡介,規格,晶片和模組,記憶晶片,晶片模組,高密度比低密度,替換,MDDR,公式,
簡介
雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有雙倍數據傳輸率的SDRAM，其數據傳輸速度為系統時鐘頻率的兩倍，由於速度增加，其傳輸性能優於傳統的SDRAM。
DDR SDRAM 在系統時鐘的上升沿和下降沿都可以進行數據傳輸。
JEDEC為DDR存儲器設立速度規範，並分為以下兩個部分：按記憶體晶片分類和按記憶體模組分類。
規格
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘上升期進行數據傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內可傳輸兩次數據，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。
晶片和模組
標準名稱 | I/O 匯流排時鐘頻率 (MHz) | 周期 (ns) | 存儲器時鐘頻率 (MHz) | 數據速率 (MT/s) | 傳輸方式 | 模組名稱 | 極限傳輸率 (MB/s) |
DDR-200 | 100 | 10 | 100 | 200 | 並行傳輸 | PC-1600 | 1600 |
DDR-266 | 133 | 7.5 | 133 | 266 | 並行傳輸 | PC-2100 | 2100 |
DDR-333 | 166 | 6 | 166 | 333 | 並行傳輸 | PC-2700 | 2700 |
DDR-400 | 200 | 5 | 200 | 400 | 並行傳輸 | PC-3200 | 3200 |
注意：上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範，往往是製造商自行最最佳化，使用更嚴格的公差或overvolted晶片。
DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異，設計不同的時鐘頻率，例如，PC-1600被設計運行在100 MHz，至於PC-2100被設計運行在133 MHz。
DDR SDRAM 的模組用於台式機，被稱為DIMMs，有184隻引腳（而不是168針SDRAM，或240針腳的DDR2 SDRAM），並可以從不同notches數目來辨別（DDR SDRAM，有一個，SDRAM，SDRAM DIMMs的有兩個）。筆記本計算機上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳，引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似，如果不能確定正確的匹配，必須小心插入。
記憶晶片
- DDR-200：DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
- DDR-266：DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
- DDR-333：DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
- DDR-400：DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行（JEDEC制定的DDR最高規格）
- DDR-500：DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
- DDR-600：DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
- DDR-700：DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
晶片模組
為了要增加記憶體的容量和頻寬，晶片會利用模組結合。例如，有關 DIMMs 的64位bus需要8個 8位的晶片並發處理。與常見的地址線（address lines）的多個晶片被稱為memory rank。這個術語被引入，是要避免與晶片內部row和bank的混亂。
- PC-1600存儲器{模組}指工作在 100MHz 下的DDR-200記憶體晶片，其擁有 1.600GB/s 的頻寬
- PC-2100存儲器模組指工作在 133MHz 下的DDR-266記憶體晶片，其擁有 2.133GB/s 的頻寬
- PC-2700存儲器模組指工作在 166MHz 下的DDR-333記憶體晶片，其擁有 2.667GB/s 的頻寬
- PC-3200存儲器模組指工作在 200MHz 下的DDR-400記憶體晶片，其擁有 3.200GB/s 的頻寬
高密度比低密度
PC3200是使用頻寬 3200 MB / s的DDR - 400晶片設計，在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200記憶體的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸，其有效的時鐘速率為 400 MHz。
替換
DDR SDRAMStandard | Bus clock(MHz) | Internal rate(MHz) | Prefetch(min burst) | Transfer Rate(MT/s) | Voltage | DIMMpins | SO-DIMMpins | MicroDIMMpins |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDR | 100–200 | 100–200 | 2n | 200–400 | 2.5/2.6 | 184 | 200 | 172 |
200–533 | 100–266 | 4n | 400–1066 | 1.8 | 240 | 200 | 214 | |
400–1066 | 100–266 | 8n | 800–2400 | 1.5 | 240 | 204 | 214 | |
800–1200 | 200–300 | 8n | 1600–5067 | 1.2 | 288 | 260 | 214 |
（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允許更高的時鐘頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準，提供更高的性能和新功能。
DDR 預取緩衝器（prefetch buffer）深度為2比特，而DDR2採用4位。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR，但整體性能並沒有提升，主要是由於DDR2高延遲（high latency）。直到2004年DDR2才有明顯的提升。
MDDR
MDDR是Mobile DDR的縮寫，在一些行動電子設備中使用，像是使用行動電話、手持設備、數字音頻播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的刷新選項（advanced refresh options）技術，MDDR可以實現更高的電源效率。
公式
利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時鐘頻率。
存儲器頻寬=存儲器速度*8Byte
