DDR3是DDR2的升級產品，相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀，DDR3目前最高能夠可以達到2133Mhz的速度，由於目前最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/2133Mhz的速度，因而DDR3記憶體模組是從2133Mhz的起跳。
基本介紹
- 中文名：記憶體條
- 外文名：Double Data Rate 3
產品設計,差異化,突髮長度,定址時序,重置功能,校準功能,參考電壓,模組連線,未來展望,
產品設計
DDR3是在DDR2基礎上採用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM核心的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
差異化
突髮長度
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
定址時序
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
重置功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3記憶體將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與傳送器都將關閉，所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之後用512個時鐘周期，在退出自刷新操作後用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
參考電壓
在DDR3系統中，對於記憶體系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
模組連線
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個記憶體控制器只與一個記憶體通道打交道，而且這個記憶體通道只能有一個插槽，因此，記憶體控制器與DDR3記憶體模組之間是點對點（P2P）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在記憶體模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級記憶體緩衝器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2記憶體的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
未來展望
以目前DDRII當紅的狀況推估，DDRIII最快要到2009年時，才會成為DRAM市場的主流規格。DDRII在2004年初開始在PC套用市場萌芽，但受DRAM廠0.11微米製程轉換不順，以及英特爾晶片組缺貨影響，直到去年第四季產出才達30%，預估今年第二季後才會超越50%，DDRII從萌芽到成熟，超過二年，成為主流的時程較廠商預期晚一年。
由於DDRII成為主流時程遞延，也使得DDRIII進度受到影響。英特爾已將DDRIII上市時間延至2007年，DRAM厂部分，最快會在下半年起進入工程樣品
（ENGINEERING SAMPLE）階段，最快明年下半年開始試產。
在晶片組市場方面，Intel支援DDRIII的晶片組最快明年第二季後上市，超微則因支援DDRII的微處理器在今年中才會問世，因此支援DDRIII的時程恐要到2008年以後。
預估DRIII在2008年底有機會達到DRAM市場30%比重，最快2009年才有機會成為主流，不過，如果DRAM廠在70奈米製程轉換上又出現不順，DDRIII正式普及的時間將會再往後延。
