CVD SiC塗層

CVD SiC塗層就是採用化學氣相沉積（CVD)方法製備SiC塗層。

製備方法

目前SiC塗層主要製備方法主要包括料漿法、包埋法、液相反應法和氣相沉積法等。其中，CVD SiC工藝作為製備 SiC塗層的工藝 ,近來得到越來越廣泛的套用。

方法特點

化學氣相沉積 CVD SiC 塗層採用的先驅體主要有三氯甲基矽烷(MTS) ，聚甲基矽烷（PMS） 等。該方法是採用保護氣氛作為載氣源，在常壓或者負壓情況下將先驅體帶入沉積區，於裂解溫度下製備出SiC塗層。

用途

CVD SiC塗層主要套用於碳碳複合材料、碳陶複合材料、石墨、以及高溫結構件、耐腐結構件等。