《AlGaN/GaN多量子阱中電子縱向量子輸運機制研究》是依託北京大學，由周勁擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：AlGaN/GaN多量子阱中電子縱向量子輸運機制研究
- 項目負責人：周勁
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60706022
- 項目名稱：AlGaN/GaN多量子阱中電子縱向量子輸運機制研究
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
AlGaN/GaN多量子阱結構已套用到光電器件中，但其縱向的量子輸運機制國內外研究甚少。我們採用多量子阱結構肖特基電極二極體在室溫條件下首次觀察到源於比鄰量子阱間極化電荷共振隧穿的電流－電壓振盪曲線,而共振隧穿是經典的量子輸運效應.本項目通過研究AlGaN/GaN多量子阱材料的共振隧穿現象，揭示在氮化物半導體中電子在垂直方向量子輸運機制，為指導和設計出基於多量子阱子帶的新型器件（如GaN基量子阱紅外探測器和THz器件）奠定基礎和對提高光電器件的性能具有重大科學意義。最佳化多量子結構，探索極化誘導電場和高濃度電荷、位錯密度、雜質散射、聲子-電子耦合等因素對共振隧穿影響的機理，構建極化誘導電荷共振隧穿模型。把AlGaN/GaN多量子阱共振隧穿結構套用到GaN基電子器件（RTD）、光電器件(量子阱紅外探測器)、自旋電子探測器是本項目最終目的。
