《AlGaN/GaN異質結構中二維電子氣的量子輸運性質》是依託北京大學，由沈波擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：AlGaN/GaN異質結構中二維電子氣的量子輸運性質
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：沈波
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10774001
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：45（萬元）
項目摘要
屬於高能帶階躍、強極化半導體低維體系的GaN基異質結構不僅在高頻、高溫、高功率電子器件領域具有重大套用，而且對豐富和發展半導體低維物理具有重要的科學意義。本申請項目以發展GaN基半導體異質結構材料與器件、探索GaN基異質結構中高密度二維電子氣(2DEG)運動規律為目標，以強磁場、超低溫磁阻測量為主要手段，開展AlGaN/GaN異質結構中2DEG的量子輸運研究，主要內容包括：高質量AlGaN/GaN異質結構材料的MOCVD生長和材料微結構表征、AlGaN/GaN異質界面量子阱的精細能帶結構和載流子占據、強極化電場下2DEG的輸運性質和本徵自旋性質等。本項目申請人及所領導的課題組近年來一直從事該領域的研究工作，取得了一批富有特色的研究成果並積累了經驗。本項目的研究目標和內容均處於當前國際上半導體低維物理和寬禁帶半導體材料、器件研究的前沿領域。
