魏曉雲是華中科技大學電子與信息工程系副教授，留美博士。
基本介紹
- 中文名：魏曉雲
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生地：河南
- 出生日期：1978.12.15
- 畢業院校：華中科技大學電子與信息工程系
- 信仰：共產主義
- 籍貫：河南
研究方向,授課課程,主要經歷,論文,
研究方向
微電子器件建模，MOS器件的特性及單粒子效應，MOS模數混合電路設計
授課課程
信號與線性系統，電子線路設計，MOS器件測量及建模等
主要經歷
2000年7月獲華中科技大學電子與信息工程系通信系統專業學士學位； 2003年12月獲華中科技大學電子與信息工程系電路與系統專業工學碩士學位； 2008年12月獲美國阿拉巴馬州奧本大學電子與計算機工程系微電子專業哲學博士學位。 2009年作為副教授加入華中科技大學電子與信息工程系。
論文
T. Zhang, X. Wei, G. Niu, J. D. Cressler, P. W. Marshall, R. A. Reed, "A Mechanism Versus SEU Impact Analysis of Collector Charge Collection in SiGe HBT Current Mode Logic," in IEEE Trans. on Nuclear Science, vol.56, no.6, pp.3071-3077, Dec. 2009.
X. Wei, G. Niu, Y. Li, et al., "Modeling and characterization of intermodulation linearity on a 90nm RF CMOS technology," in IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, vol. 57, no. 4, pp. 965-971, Apr. 2009.
X. Wei, T. Zhang, G. Niu, M. Varadharajaperumal, J. D. Cressler, and P. W. Marshall, “3-D Mixed Mode Simulation of Single Event Transients in SiGe HBT Emitter Followers and Hardening Guidelines,” in IEEE Trans. on Nuclear Science, vol. 55, no. 6, pp. 3360-3366, Dec. 2008.
M. Varadharajaperumal, G. Niu, X. Wei, T. Zhang, J. D. Cressler, R. A. Reed, and P. W. Marshall, "3-D Simulation of SEU Hardening of SiGe HBTs Using Shared Dummy Collector," in IEEE Trans. on Nuclear Science, vol. 54, pp. 2330-2337, Dec. 2007.
X. Wei, G. Niu, S. L. Sweeney, Q. Liang, X. Wang, and S. S. Taylor, " A General 4-port Solution for 110 GHz On-wafer Transistor Measurements With or Without Impedance Standard Substrate (ISS) Calibration,” in IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 54, no. 10, pp. 2706-2714, Oct. 2007.
