《高靈敏回響近零微弱外磁場的磁敏新材料及機理研究》是依託浙江師範大學，由方允樟擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高靈敏回響近零微弱外磁場的磁敏新材料及機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：方允樟
- 依託單位：浙江師範大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50871104
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：E0110
- 支持經費：40（萬元）
項目摘要
本課題組在經專門處理的FeCo基合金薄帶中觀察到了一種對近零磁場高靈敏回響（2440%/安 每米）的新型巨磁阻抗效應- - 尖刺巨磁阻抗效應（TGMI）。這種TGMI效應實現了巨磁阻抗效應靈敏區向零磁場的逼近，有望開發對近零微弱磁場敏感的新型磁敏感測器。本項目將採用單輥快淬和Taylor法，製備系列組元和配比的非晶合金薄帶和細絲，用專門的電流退火工藝製備非晶外層包裹納米晶內芯的芯狀結構樣品；將磁控濺射法製得的合金薄膜用脈衝雷射和電子束退火，製備局域晶化樣品；用阻抗儀測量用上述方法製備的系列樣品在系列條件下的GMI效應曲線，並用AFM斷口介觀結構觀測法和TEM技術研究晶粒團聚行為，用高分辨同步輻射技術研究芯狀晶化結構，用XRD和高分辨TEM技術研究材料相結構和微結構。綜合分析實驗結果後，歸納抽象出TGMI效應的特性及機理，為高靈敏回響近零微弱磁場的磁敏感測器開發提供技術支撐和理論指導。
